Меза-структура

Cтраница 4

Площадь перехода определялась визуально под микроскопом по диаметру меза-структуры диода и из вольт-фарадных измерений обратно смещенного р-п перехода. [46]

Схема установки для контролируемого травления. [47]

Термин меза в переводе с испанского означает плато или стол. Структуры, полученные на полупроводниковом материале и имеющие внешний вид плато ( столиков), получили название меза-структур. За последнее время разработан и выпускается целый ряд приборов, изготовленных с применением меза-технологии. [48]

Для получения меза-структур на германии с вплавленными в него навесками электродного сплава часто используют контролируемое травление без дополнительной маскировки отдельных участков. Травитель подбирают такого состава, чтобы он реагировал только с германием и не растворял электродного сплава. Этот метод травления меза-структур используют обычно для создания переходов с очень малой площадью. [49]

Ограничить площадь коллекторного перехода можно и другим способом - выделяя соответствующие островки ( рис. XIII. Овальная канавка, ограничивающая площадь коллекторного перехода, протравливается с помощью методов фотолитографии. Данная транзисторная структура является вариантом меза-структуры. [50]

Основные этапы изготовления СВЧ-микросхем. [51]

Ориентирование структур относительно кристаллографических направлений семейства 011 в плоскости ( 100) пластины производится либо по базовым срезам на пластине, либо по специально формируемым на краю пластины ( в сегменте шириной 3 - 4 мм) прямоугольным фигурам травления. При этом травление полупроводника на глубину 0 6 - 0 8 мкм выявляет направления типа 011 по более широкой полоске боковой грани, чем вдоль направления ОИ. Эта операция необходима для ориентированного в плоскости пластины изготовления меза-структур ПТШ с целью обеспечения перехода металлизации на подложку по наклонной грани травления для предотвращения разрыва пленки металла. [52]

Выбор рабочей точки па вольт-амперной характеристике диода для его инвертирования. [53]

Следовательно, при работе в области пробоя не происходит накопления неосновных носителей в базе диода. При вплавлении в кремний - типа небольшой алюминиевой навески с последующим созданием меза-структуры диаметром 50 - 70 мкм удается получить барьерную емкость 1 - 3 пф при обратных напряжениях около 3 в, что обеспечивает время переключения инвертированных диодов; связанное с перезарядом барьерной емкости, менее 150 псек. [54]

Точечно-контактный метод получения р - п переходов применяется только при производстве маломощных диодов. Он позволяет механизировать операцию получения р - п переходов, но имеет существенные недостатки, указанные выше. Поэтому большинство маломощных диодов изготовляется по сплавной или диффузионной технологии с применением меза-структуры, например диоды 2Д503, Д218 - Д220, Д223 и др. Очевидно, в ближайшие несколько лет производство диодов с применением точечно-контактного метода будет прекращено. [55]

После получения требуемых меза-структур защитное покрытие удаляют с пластин, обрабатывая их в растворителе. Полученные структуры окончательно нромывают в деионизованной воде, сушат их и защищают переходы от воздействия внешней среды. Затем структуры разрезают ( иногда раскалывают или сразу растравливают до основания) на кристаллы, с таким расчетом, чтобы каждая меза-структура оказалась примерно в центре кристалла. Далее к кристаллу присоединяют выводы и окончательно герметизируют прибор. [56]

Для снижения времени жизни неравновесных носителей заряда в германий вводятся атомы золота. После получения диффузионной структуры кристаллы припаиваются к держателю 4 оловянным припоем с присадкой сурьмы. Со свободной стороны кристалла стравливается и-слой 3 и для получения хорошего омического контакта в обнаженную р-область вплавляются индиевые шарики 1 диаметром около 300 мк. Меза-структура получается глубоким химическим травлением кристалла с омическим контактом в смеси пергид-роли со щелочью. При этом стравливаются все диффузионные слои на незащищенной части поверхности кристалла. [57]

При изготовлении диффузионных диодов ( рис. 5.6, в) используют метод диффузии донорных или акцепторных примесей в твердый полупроводник. Проникая на некоторукылубину под поверхностью, диффундирующие атомы меняют тип проводимости этой части кристалла, вследствие чего возникает р - n - переход. Для получения малой емкости осуществляют травление приповерхностных слоев полупроводника, после которого р - n - переход сохраняется лишь на очень малом участке, имеющем вид столика, возвышающегося над остальным кристаллом. Такой вид кристалла называют меза-структурой. [58]

Степень воздействия на элементы РЭА определяется видом радиации и условиями воздействия. Наиболее сильно подвержены воздействию искусственной радиации элементы РЭА, использующие органические и полупроводниковые материалы. Воздействие радиации также зависит от технологии изготовления элементов РЭА. Так, пла-нарные транзисторы более стойки к радиации, чем транзисторы с меза-структурой, а тонкопленочные транзисторы на 2 - 3 порядка более стойки, чем монокристаллические. [59]

Значительным преимуществом меза-транзисторов в логических схемах является то, что важнейший ограничивающий параметр при конструировании схемы ( коэффициент усиления транзистора) возрастает при увеличении тока. Поэтому уменьшение времени задержки может быть достигнуто путем увеличения рабочих уровней тока. Это приводит к увеличению мощности рассеяния, поэтому целесообразно использовать эпитаксиальные приборы, имеющие более низкое остаточное напряжение. Эпитаксиальная техника позволяет еще более увеличить коэффициент передачи тока и снизить емкости прибора при той же геометрии меза-структуры. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5