Меза-структура

Cтраница 2

Для всех методов получения меза-структур характерно прежде всего то, что стремятся процессы травления сделать как можно более контролируемыми и воспроизводимыми, так как в этом залог успеха изготовления приборов с меза-структурами. [16]

Известно несколько способов получения меза-структур [ 13, 17J, для которых общим является то, что небольшая часть площади перехода защищается, а остальная поверхность удаляется путем травления или обработки. [17]

Основные виды меза-структур. а - горное плато, б - тонкий перешеек, в - конус.| Схема получения растяну. [18]

Так, для получения меза-структур на пластине кремния с диффузионным р-п переходом применяют следующий метод растравливания мез. [19]

Тонкопленочный квантовый магнитометр. [20]

Новый диод представляет собой меза-структуру диаметром 5 мкм, изготовленную обычными методами литографии. Поверхность подложки из арсенида галлия вокруг меза-структуры покрывают слоем двуокиси кремния. [21]

Глубиной залегания р-п перехода определяется глубина растравливания меза-структур, так как при этой технологии необходимо протравить весь диффузионный слой и углубиться в исходный материал. [22]

Технология изготовления меза-дйффу-зионно-еплавного транзистора. [23]

Устранить эти недостатки удалось, заменив лунки меза-структурами, получаемыми фотолитографическим методом. [24]

Маскирование локальных участков пластины лаком, ХСЛ при изготовлении меза-стру-ктур.| Меза-струк-тура в разрезе. [25]

Для наблюдения на осциллографе вольт-амперных характеристик предварительно вытравливают меза-структуры в пластине с диффузионным слоем. Размер защищенных участков 3x5 мм. [26]

При термокомпрессии к р - и n - слоям меза-структуры присоединяют внахлестку выводы, которые представляют собой золоченую плющенку с зигом и термокомпенсационной петлей. Прочность крепления выводов проверяют, прикладывая к ним фиксированное растягивающее усилие. Затем предварительно разбраковывают переходы по электрическим параметрам. [27]

Лавинно-пролетный диод с меза-структурой. [28]

В настоящей работе исследуется однородность распределения тока в германиевых диффузионных ЛПД с меза-структурой ( рис. 1) и рассматривается влияние неоднородностей на температуру лавинно-теплового пробоя. Одним из методов выявления неоднородностей является исследование вольтамперных характеристик диодов. Этот метод и был использован в настоящей работе. [29]

Технология изготовления кремниевого меза-диффузион. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5