Меза-структура

Cтраница 3

Точная ориентация по оси ( 100) необходима для того, чтобы после получения соответствующих меза-структур расколоть пластину на кристаллы с мезой в середине. [31]

Дальнейшие перспективы снижения плотности дислокаций в такого рода гетероком-позициях связаны с эпитаксиальным выращиванием на профилированных подложках ( меза-структуры, пористые пластины), а также с использованием метода прямого соединения пластин. [32]

Фрагменты пластин с. [33]

Сквозные проводники для соединений по оси г образуются аналогично, за исключением того, что в процессе травления создается меза-структура из бериллиевой бронзы, верхняя поверхность которой совпадает с плоскостью пластины-подложки. Островки меза-структуры с одной стороны платы окружают диэлектрическим наполнителем. Затем ведут травление другой стороны платы, изолируя тем самым центральный проводник от подложки, и заполняют углубления диэлектриком. В результате образуется коаксиальная структура в направлении оси г. Проводник, проходящий сквозь пластину, может соединяться с коаксиальным проводником связи в плоскости ху. Для изготовления такого типа соединения необходимо совместить оба процесса. [34]

Автоэпитаксиальная технология может быть также использована для получения выращенных электронно-дырочных переходов как в виде сплошных пленок, так и в виде меза-структур. [35]

Типичная зависимость интенсивности излучения диода из арсенида галлия при различных температурах показана на рис. 10.13. Кривые относятся к диодам, которые имели меза-структуру с площадью перехода, равной 1 4X0 6 мм. Как видно из рисунка, при малых токах возбуждения интенсивность излучения линейно зависит от тока. При дальнейшем росте тока вновь наблюдается линейное соотношение между интенсивностью излучения и током возбуждениия. Излучение является некогерентным при значениях тока, меньших пороговых, и становится когерентным при больших токах. [36]

Декаль-метод, удобный для бескорпусных ИМС, заключается в прикреплении готовой полупроводниковой структуры к диэлектрической пластине-подложке с последующим локальным травлением и окислением поверхности меза-структур. Данным методом создается полная диэлектрическая изоляция элементов и обеспечиваются их высокие параметры. [37]

Сопротивление потерь rs современных туннельных диодов в основном сосредоточено в объеме пол улроводника, прилегающего к р-п переходу, и определяется удельной проводимостью материала и геометрическими размерами меза-структуры, полученной в. [38]

Для получения меза-структур на пластину кремния со стороны р-типа наносят локальную защиту от травления - церезин, который намазывают на пластину через маску с отверстиями, соответствующими размеру требуемой меза-структуры и расположенными друг относительно друга на заданном расстоянии, определяющим величину получающихся в дальнейшем кристаллов. Локальную защиту можно получать также, напыляя воск через соответствующую маску. [39]

Схема изготовления меза-транзистора с диффузионными эмиттером и коллектором.| Эффект оттеснения тока в транзисторах с диффузионными эмиттером и коллектором при одновременной диффузии эмиттера и коллектора без силыюлегированного слоя в пассивной базе ( а. с сильнолегированным слоем ( б, а также для последовательной диффузии с эмиттером малой глубины и сильнолегированным слоем в пассивной базе ( в. [40]

I стадия диффузии В; 5 - II стадия диффузии Р и В; Ь - химическое никелирование; 7 - фотогравировка контактных областей и облуживание контактов; 8 - травление меза-структуры. [41]

Для всех методов получения меза-структур характерно прежде всего то, что стремятся процессы травления сделать как можно более контролируемыми и воспроизводимыми, так как в этом залог успеха изготовления приборов с меза-структурами. [42]

Новый диод представляет собой меза-структуру диаметром 5 мкм, изготовленную обычными методами литографии. Поверхность подложки из арсенида галлия вокруг меза-структуры покрывают слоем двуокиси кремния. [44]

Рассмотрим в качестве примера технологию изготовления германиевого переключательного диода. На рис. 12.3, а показана меза-структура, примененная в этом диоде, а на рис. 12 3, б, - общий вид диода. Для получения р-п перехода применен метод диффузии, причем исходный германий р-типа имеет удельное сопротивление 0 1 ом-см. Омические контакты получены с помощью вплавления шариков из сплава Sn - Ag - As со стороны - области и сплава Pb - Ag - Ga со стороны р-области. Диаметр р-п перехода в готовом диоде составляет примерно 30 мкм. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5