Меза-структура

Cтраница 5

Схема фотолитографического процесса при получении меза-транзистора. [61]

Для получения диодов или транзисторов с улучшенными характеристиками часто употребляют пластинки с эпитаксиальным слоем, способы нанесения которых описаны в гл. Это резко снижает сопротивление перехода диода в прямом направлении или сопротивление тела коллектора транзистора. Что касается пробивного напряжения и емкости перехода, то они определяются сопротивлением эпитаксиальной пленки, которое достаточно высокое. Травление меза-структур осуществляется фотолитографическим методом. [62]

Исходным материалом служит дырочный германий с р 0 1 ом-см. Из монокристалла режутся пластины размером 1X1X0 5 мм. В нейтральной атмосфере из газовой фазы происходят напыление и диффузия сурьмы; последняя проникает на небольшую глубину и создает - слой по всей поверхности пластинки. Режим подбирается так, чтобы образовался переход с плавным распределением примесей. Элемент вытравливается в форме столика и приобретает меза-структуру рис. 4.5 а. Такая технология дает возможность получить малые емкости и высокую повторяемость параметров в производстве. [63]

Схема осциллографической установки для изучения выпрямляющих свойств р-л-переходов. [64]

После травления меза-структуры пластину тщательно промывают водой и высушивают. Затем при помощи иглы снимают пленку лака, вновь промывают водой, спиртом и сушат фильтровальной бумагой. Пластину помещают на столик характе-риографа ( рис. 109), который служит одним из электрических контактов. Вторым контактом служит игла, помещенная на манипуляторе. Для наблюдения характеристики на экране осциллографа ( рис. ПО) касаются иглой поочередно каждой из меза-структур. Если при увеличении напряжения обратная ветвь / - У-харак-теристики остается горизонтальной ( рис. 110, а), то качество р - n - перехода хорошее. Если же наблюдается отклонение ( значительный обратный ток) ( рис. ПО, б), то переход неудовлетворителен, Форма отчета. Отчет о работе должен содержать: 1) описание технологической схемы и режимов загонки и разгонки бора; 2) описание методики измерения и результаты определения Rs, 3) расчет поверхностной концентрации бора, глубины диффузионного слоя и общего количества примеси при загонке; 4) расчет и экспериментальное определение глубины р - n - перехода после разгонки; 5) построение диффузионного профиля для erfc - распределения при загонке ( см. рис. 105); 5) диффузионный профиль для ехр-распределения ( расчет по (15.8); 7) описание / - У-характеристики меза-структур; 8) выводы по работе. [65]

Страницы: 1 2 3 4 5