Метод - фотолитография
Cтраница 1
Метод фотолитографии обладает разрешающей способностью в 200 и более линий на миллиметр, что позволяет формировать элементы с размерами до 2 мкм. [1]
 |
Стадии процесса фотолитографии. [2] |
Метод фотолитографии состоит в следующем. Состав наносят пульверизатором или окунанием, а затем выравнивают слой фоторезиста на центрифуге. Иногда фоторезист наносят на металлическую пленку, осажденную на поверхность полупроводниковой пластины. [3]
 |
Изолирующие перегородки в полупроводниковых интегральных схемах. [4] |
Методом фотолитографии наносят рисунки островков. После засветки, травления и промывки на неэкспонированных местах образуются островки. В них методом диффузии вводится акцепторная примесь, создающая проводимость р-типа. К полученным р - ге-переходам подключают напряжение так, чтобы переход был заперт. Таким образом, получают электрически изолированные друг от друга островки, в которых затем формируют необходимые схемные элементы. [5]
Сущность метода фотолитографии состоит в следующем. После высушивания эмульсии образуется плотная, прочная пленка. Затем производят экспонирование ( засвечивание) образовавшейся пленки через специальный шаблон, позволяющий получить только белые и черные тона. Засвеченные участки светочувстви т е л ь н о и пленки приобретают свойство нерастворимости в характерных для нее растворителях. [6]
 |
Часть пластин с р-и переходом после обработки методом фотолитографии. [7] |
Сущность метода фотолитографии состоит в следующем. После высушивания эмульсии образуется плотная, прочная пленка. Затем производят экспонирование ( засвечивание) образовавшейся пленки через специальный шаблон, позволяющий получить только белые и черные тона. Засвеченные участки светочувствительной пленки приобретают свойство нерастворимости в характерных для нее растворителях. [8]
Помимо методов диффузии-и фотолитографии в интегральной электронике находит широкое применение и техника наращивания тонких полупроводниковых пленок - техника эпитаксиальных пленок. [9]
Более точен метод фотолитографии, использующий на последней стадии не контактную, а проекционную печать. Применяется он для получения как микросхем, в том числе и без изготовления мультиплицированных негативов, так и металлизированных мультиплицированных фотошаблонов, если в обоих случаях проекцию проводить непосредственно на слой фоторезиста. [10]
Более приемлем метод фотолитографии, который позволяет уменьшить расстояние между контактами до 1 мкм. Перспективным методом изготовления тонких пленок арсенида галлия является эпитаксиальное наращивание. [11]
Более приемлем метод фотолитографии, который позволяет уменьшить расстояние между контактами до 1 мкм. Перспективным в изготовлении тонких пленок арсенида галлия является метод эпитаксиального наращивания. [12]
Разрешающая способность метода фотолитографии зависит от качества фотошаблонов и фоторезистов и условий, в которых проводится процесс. [13]
Существует несколько разновидностей метода фотолитографии. Метод прямой фотолитографии предусматривает такую последовательность формирования пленочных элементов: нанесение сплошной пленки материала тонкопленочного элемента, формирование на ее поверхности фоторези-стивной контактной маски, вытравливание через окна в фоторезисте лишних участков пленки. [14]
 |
Этапы изготовления планарного транзистора. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5