Метод - фотолитография
Cтраница 4
 |
Установка контактного совмещения и экспонирования ЭМ-517.| Установка совмещения и экспонирования ЭМ-512А. [46] |
Установка совмещения и экспонирования ЭМ-517 ( рис. 48) предназначена для изготовления пленочных микросхем методом фотолитографии. Применение метода совмещения по механическим базам повышает производительность и облегчает условия труда. [47]
 |
Схема проекционной электронолитографии. [48] |
На кварцевую пластину ( прозрачную для ультрафиолетового света) наносят пленку титана, затем методом обычной фотолитографии из пленки титана создают требуемый рисунок элементов и окисляют титан до двуокиси титана. Ее специфическим свойством является сильное поглощение ультрафиолетового света. Затем напыляют сплошной слой палладия, который обладает специфическим свойством чувствительного к ультрафиолетовому свету фотозмиттера, устойчивого на воздухе. Получившийся трафаретный фотокатод представляет собой электронно-оптический эквивалент маски, используемой в фотооптическом процессе. Проекционная система исключает возможность механического износа маски или механического повреждения кремниевой подложки. Поэтому фотокатод-маска имеет большой срок службы и ее необходимо лишь обновить, когда палладиевая пленка снизит свою эмиссию. [49]
Принцип создания тонкопленочной микросхемы, содержащей резисторы, проводники и контактные площадки, с использованием метода прямой фотолитографии представлен на рис. 2.2, а - г. После нанесения в вакууме сплошной пленки резистивного материала проводится фотолитография. Экспонированный фоторезист удаляется ( растворяется), после чего пленка резистивного материала стравливается с участков, не защищенных фоторезистом. Далее на подложки в вакууме наносится сплошная пленка алюминия. [50]
Тонкие пленки наносят на подложку с использованием различных технологических методов, которые в сочетании с методом фотолитографии позволяют получить резисторы требуемой конфигурации и размеров. Наиболее широко применяются методы вакуумного напыления и катодного или ионно-плазменного распыления. [51]
Прежде чем перейти к описанию пленарной технологии, рассмотрим широко применяемую в полупроводниковой технике обработку пластин методом фотолитографии. [52]
Соединения между элементами в полупроводниковой И С осуществляются путем вакуумного напыления металлических ( обычно алюминиевых) пленок с использованием методов фотолитографии. [53]
 |
Схема мембранного манометра типа Кристалл. [54] |
К мембране припаяна серебряным припоем круглая сапфировая пластинка 2, на поверхности которой из предварительно нанесенной пленки монокристаллического кремния получены методом фотолитографии пленочные тензорезисторы Rl - R4, представляющие плечи неуравновешенного моста. [55]
Перенос рисунка с фотошаблона на трафарет, так же как и перенос рисунка с фотошаблона непосредственно на пленочную структуру при использовании метода фотолитографии, осуществляют с помощью ряда последовательных фотохимических процессов: нанесения специальных светочувствительных материалов - фоторезистов; экспонирования, при котором фоторезист меняет свои свойства в местах освещения; проявления рисунка на фоторезисте и задубливания. [56]
 |
Конструкция магниторезистора из эвтектического сплава. [57] |
Конструкция магниторезистора из эвтектического сплава InSb - NiSb изображена на рис. 2.20. Из плоской пластины эвтектического сплава толщиной около 25 мкм методом фотолитографии получают меандровую полоску. Ширина полоски меандра не должна превышать 80 мкм, чтобы избежать уменьшения магнитосопротивления из-за геометрических факторов. [58]
Уменьшение размеров микросхем и повышающиеся с каждым годом требования к точности выполнения геометрических размеров их элементов привели к широкому внедрению в производство методов фотолитографии, которые по разрешающей способности и точности значительно превосходят метод свободной маски. В табл. 8.1 сравнивается разрешающая способность различных методов получения рисунка. [59]
 |
Создание рисунка в пленке с использованием негативного маскирующего покрытия. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5