Метод - фотолитография
Cтраница 3
Необходимый рисунок проводников и контактных площадок создается методом фотолитографии. Ширина линий проводников и промежутков между ними равна 10 - 13 мкм. [31]
 |
Схема процесса использования эффекта. [32] |
Оба варианта метода контактной маски иногда называют методом взрывной фотолитографии. [33]
 |
Фигурная обработка поверхности без диффузора ( а и с диффузором. [34] |
Прогресс современной микроэлектроники во многом зависит от развития метода фотолитографии, являющегося одним из основных в изготовлении больших и интегральных схем. Существующие в настоящее время способы получения фотошаблонов приводят к образованию значительного количества дефектов, возникающих на различных стадиях фотолитографического процесса, а сам процесс отличается длительностью изготовления фотошаблонов и - многоступенчатостью. [35]
Пели требуется высокое начальное сопротивление магниторезисто-ра, то методом фотолитографии пластине придается форма, показанная на рис. 10.11. Благодаря такой форме удельное сопротивление магниторезистора может достигать нескольких сотен ом. [36]
На рис. 2 показан единичный чип, полученный методом фотолитографии. На кремниевой пластине длиной 3 мм, шириной 0 8 мм и толщиной 0 38 мм размещена трехэлектродная электрохим. [37]
Соединения необходимой конфигурации вытравливают с помощью едкого натра методом фотолитографии. Эта операция обеспечивает надежное соединение пленки с подложкой. [38]
Широкое распространение в планарной технологии создания соединительных элементов находит метод фотолитографии, при этом проводящий материал наносят химическим или электролитическим осаждением и напылением в вакууме. Например, в работе [5] предложен метод создания токоведущих дорожек на поверхности интегральных схем путем напыления на подложку слоя золота через отверстия в слое фоторезиста. [39]
Вначале создается комплект эталонных фотошаблонов, с которых затем методом фотолитографии получают несколько рабочих комплектов. Так как в производстве микросхем используют главным образом метод контактной фотолитографии, то в процессе эксплуатации фотошаблоны изнашиваются: на них появляются проколы, количество которых превышает допустимую норму, царапины и другие дефекты. При выходе из строя одного из рабочих фотошаблонов заменяют весь комплект во избежание ошибок при совмещении. Точно так же поступают, если выходит из строя один из эталонных фотошаблонов. [40]
Для получения заданного расположения и конфигурации элементов в микросхеме используют метод фотолитографии. [41]
 |
Шарики припоя на кристалле.| Шарик из облуженной меди иа кристалле.| Столбик, полученный электролитическим осаждением золота. [42] |
В пластине полупроводника с полностью изготовленными транзисторами или интегральными схемами методом фотолитографии всктрываются окна для алюминиевых контактных площадок. Затем вакуумным испарением наносят последовательно слои хрома и никеля толщиной по 600 А. Никель и хром удаляют между контактными площадками и наращивают никель химическим способом до толщин в несколько микрометров. Затем никелевые контактные площадки облуживают в тигле с оловянисто-свинцовым припоем. [43]
Метод экспонирования на микрозазоре обычно сочетает в себе достоинства контактного и проекционного методов фотолитографии. Сущность его заключается в том, что между пластиной и фотошаблоном с помощью специальных приспособлений устанавливается контролируемый зазор - 10 - 20 мкм, достаточно большой, чтобы свести к минимуму нежелательное явление френелевской дифракции, и в то же время достаточно малый, чтобы можно было пренебречь нелинейными искажениями в зазоре при передаче изображения. Отсутствие механического контакта с подложкой, как и в методе проекционной литографии, обеспечивает большой срок службы фотошаблона. [44]
После выполнения первого уровня разводки на пластину наносят изоляционный слой, в котором методом фотолитографии вскрывают окна для образования контактов первого и последующего слоев металлизации. Затем поверх изоляционного слоя с помощью машинной разводки создается второй слой металлизации. Аналогично создается третий слой металлизации. На этом формирование БИС заканчивается. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5