Метод - фотолитография
Cтраница 2
Оксидные маски изготовляются методом фотолитографии, который имеет более общее значение в полупроводниковой технологии и описывается в следующем разделе. [16]
Оксидные маски изготовляют методом фотолитографии, который имеет более общее значение в полупроводниковой технологии и описывается в следующем разделе. [17]
 |
Тонкопленочный транзистор. [18] |
В процессе изготовления используется метод фотолитографии. Резистивными материалами могут быть хром, тантал, окиси металлов, специальные сплавы. Сопротивление тонкопленочных резисторов лежит в пределах от долей ома до 1 МОм при толщине пленки до нескольких микрометров. [19]
Дальнейшая разработка и применение методов фотолитографии позволяют получать по комбинированной технологии многослойные тонкопленочные микросхемы, содержащие проводники, резисторы, конденсаторы, индуктивности и тонкопленочные активные элементы. [20]
Для осуществления диффузии золота методом фотолитографии в слое окисла подготавливают окна. С помощью фотолитографии удаляют золото, лежащее поверх окиси кремния. Нагрев пластин осуществляют при температуре 700 - 900 С в течение 15 - 20 мин в потоке инертного газа. [21]
Затем в пленке окисла методом фотолитографии вытравливают окна ( рис. 4.7, в) и пластинку подвергают воздействию паров борной кислоты. Бор диффундирует в кремний в каждом окне на глубину в несколько микрометров, создавая слой с электропроводностью р-типа - базу будущей транзисторной структуры. [22]
Далее в пленке окисла методом фотолитографии вновь создают окна несколько меньшего размера и в атмосфере пятиокнси фосфора производят диффузию донорной примеси. Остается вскрыть окна для алюминиевых электродов базы и эмиттера, нанести эти электроды ( рис. 4.7, д) - и транзисторные структуры готовы. После резки пластинки на отдельные элементы, содержащие по одной транзисторной структуре, каждый элемент, называемый кристаллом, впаивают коллектором на дно ножки стандартного корпуса, эмиттерный и базовый контакты присоединяют тонкими проводниками к соответствующим траверсам ножки. Выпускаются также бескорпусные транзисторы, у которых климатическая защита осуществляется с помощью тонкой пленки силикатного стекла. Пленарные транзисторы имеют переменную концентрацию примесей в базе, уменьшающуюся в сторону коллектора, что снижает, как указывалось, сопротивление базы и емкость коллектора. Градиент примеси имеется и в эмиттере, что уменьшает его емкость и распределенное сопротивление эмиттера, а также повышает пробивное напряжение эмиттерного перехода. [23]
Однако формирование тонкопленочных резисторов методом фотолитографии является одним из процессов, наиболее критичных к самому важному фактору фотолитографии - к точности воспроизведения геометрических размеров элементов. [24]
По сравнению с контактный методом фотолитографии проекционный метод более перспективен. Так, например, применение объектива с разрешающей способностью 3000 линий на 1 мм [58] и монохроматизированного ультрафиолетового освещения позволяет получать отдельные элементы полупроводниковых приборов шириной 0 6 мкм при зазоре между ними 0 4 мкм. [25]
При изготовлении монометаллических масок применяют метод фотолитографии и электрохимического наращивания. [26]
Рисунок первого сигнального слоя получают методом фотолитографии, причем слой моноокиси кремния в дальнейшем будет использоваться в качестве первого слоя составного диэлектрика, а тонкая пленка алюминия ( на рис. 144 не показана) является маской для травления моноокиси кремния. [27]
 |
Поперечный разрез танталовой СВЧ микросхемы, содержащей элементы с сосредоточенным1. параметрами. [28] |
Конфигурация резистнвных и емкостных элементов задается методом фотолитографии. Величину сопротивления резисторов можно доводить до заданного номинала с высокой точностью, изменяя толщину слоя нитрида тантала 3 в результате формирования на его поверхности пятиокиси тантала 2 способом электрохимического анодирования. [29]
При ширине резистора менее указанных значений используют более трудоемкий и дорогой метод фотолитографии. В этом случае на подложку наносится СПЛОШНОЙ резистивный слой, а затем слой фоторезиста, который акционируется через стеклянный фотошаблон. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5