Метод - вплавление
Cтраница 1
Метод вплавления заключается в вплавлении акцепторной примеси в монокристалл полупроводника л-типа электропроводности или донорной примеси в монокристалл полупроводника р-типа. [1]
Методом вплавления или диффузии примесей одновременно с двух сторон пластинки кремния можно создать два р-п-перехода, включенные встречно. Так изготавливают стабилитроны с симметричными вольт-амперными характеристиками. Такие стабилитроны можно применять для защиты различных элементов электрических схем от перенапряжений обеих полярностей. [2]
Методом вплавления или диффузии примесей одновременно с двух сторон пластинки кремния можно сформировать два р-я-перехода, которые при подаче напряжения на крайние области структуры оказываются включенными встречно. Так изготавливают стабилитроны с симметричной вольт-амперной характеристикой - симметричные стабилитроны, которые могут стабилизировать напряжение разной полярности и применяются для защиты различных элементов электрических схем от перенапряжений обеих полярностей. [3]
 |
Схематическое изображение транзистора.| Устройство сплавного транзистора. / эмиттер, 2 коллектор, 3 - база.| Упрощенная схема изготовления транзистора методом диффузии. [4] |
Методом вплавления получают транзисторы на различные мощности, работающие как в режиме усиления, так и переключения. [5]
Недостатки метода вплавления чаще всего связаны с неравномерным смачиванием поверхности полупроводника расплавленным примесным элементом. При плохом смачивании образуется очень неровная граница раздела фаз и плоский р-п переход получить не удается. В случае некоторых сплавов, где смачивание происходит легко ( например, в случае алюминия или золота), коэффициенты теплового расширения полупроводника и эвтектики, образующейся при охлаждении до нормальной температуры, столь сильно разнятся, что это может привести к растрескиванию р-п переходов. [6]
 |
Устройство низкочастотного сплавного транзистора. [7] |
Недостаток метода вплавления заключается в трудности контроля толщины самой базы. [8]
При изготовлении транзисторов методом вплавления в пластинку n - Ge вплавляются индиевые электроды. При охлаждении у границы с металлом образуются тонкие слои с большой концентрацией акцептора - индия и соответственно с большой концентрацией дырок. Этот слой называется базой. Соответственно / ( - область, откуда дырки вводятся в базу, называется эмиттером, а вторая, куда дырки собираются из базы - коллектором. [9]
 |
Конструкции туннельных диодов. [10] |
Переход р-п получают методом вплавления или диффузии примесей. [11]
Электронно-дырочный переход, полученный методом вплавления в полупроводник ( с последующей рекристаллизацией полупроводника) металла или сплава, содержащего донорные или акцепторные примеси, называют сплавным переходом, а переход, полученный в результате диффузии примеси в полупроводник, - диффузионным. [12]
 |
Конструкции импульсных диодов. [13] |
Плоскостные импульсные диоды изготовляют либо методом вплавления примесей, либо диффузией донорных или акцепторных примесей в полупроводниковый кристалл. Практически технология изготовления импульсных плоскостных диодов почти не отличается от технологии обычных выпрямительных диодов. Разница заключается только в выборе исходного материала и в-площади p - n - перехода. Импульсные диоды должны иметь как можно меньшую площадь перехода для получения наименьшей емкости. Исходный полупроводниковый материал для импульсных диодов выбирается с малым временем жизни носителей. [14]
 |
Зависимость сопротивления диода от напряжения и тока.| Частотные характеристики детекторов. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5