Метод - вплавление
Cтраница 5
 |
Схема технологического процесса изготовления сплавного транзистора.| Конструкция сплавных маломощных транзисторов в корпусе с герметизацией холодной сваркой. [61] |
Низкочастотными считают транзисторы с рабочими частотами до 3 МГц, а маломощными - с допустимой мощ-ностьюрассеяния на коллекторе до 0 3 Вт. Большинство относящихся к этой группе транзисторов изготовляют методом вплавления, поэтому их называют сплавными. Так как при изготовлении низкочастотных сплавных транзисторов обычно используют равномерно легированный исходный материал, то при малых токах электрическое поле в области базы таких транзисторов отсутствует и по механизму движения носителей заряда они относятся к бездрейфовым. [62]
 |
Модель дрейфового транзистора, поясняющая возникновение электрического поля в базе. [63] |
Как диффузионные, так и дрейфовые транзисторы являются приборами плоскостного типа. Диффузионные триоды, к которым относились все предыдущие рассуждения, как правило, изготовляются методом вплавления ( см. гл. Дрейфовые триоды изготовляются по принципиально иной технологии и несколько отличаются по механизму передачи тока в базе. Принцип действия дрейфовых триодов сводится к следующему. [64]
 |
Схема замещения туннельного диода.| Принципиальная схема гег нератора на туннельном диоде. [65] |
Для арсенида галлия в качестве акцепторных примесей применяют цинк и кадмий. Конструктивное исполнение туннельного диода представлено на рис. 5.26. На кристалле / полупроводника формируется узкий р-га-переход, для получения которого применяется метод вплавления или диффузии примесей. Туннельные диоды оформляются в корпусе 2, причем германиевые диоды помещают в металлостеклянный корпус, а диоды на базе арсенида галлия - в металлокерамический. При такой конструкции обеспечивается малое значение индуктивности контакта, что очень важно при работе диода на высоких частотах. [66]
В настоящее время в качестве импульсных диодов используют точечные и плоскостные диоды. Технология изготовления импульсных точечных диодов аналогична технологии изготовления выпрямительных точечных высокочастотных диодов. Плоскостные импульсные диоды изготовляют либо методом вплавления примесей, либо диффузией донорных или акцепторных примесей в полупроводниковый кристалл. Практически технология изготовления импульсных плоскостных диодов - почти не отличается от технологии обычных выпрямительных диодов. Разница заключается только в выборе исходного материала и в площади р-л-перехода. Импульсные диоды должны иметь как можно меньшую площадь перехода для получения наименьшей емкости. Исходным для импульсных диодов выбирают полупроводниковый материал с малым временем жизни носителей заряда. [67]
Вплавление эмиттерной и коллекторной навесок производят в защитной атмосфере. В зависимости от материала выбирается и температура вплавления. При производстве сплавных триодов сейчас применяют два метода вплавления: кассетный и бескассетный. Кассета обеспечивает центровку всех деталей. При бескассетном методе вплавления эмиттерную и коллекторную навески припрессовывают к пластинке полупроводника. Бескассетный метод обеспечивает хорошую центровку переходов и лучшее их качество. [68]
 |
Схема стабилизатора постоянного напряжения. [69] |
Пробивное напряжение прибора зависит от величины его удельного сопротивления, поэтому каждому данному напряжению стабилизации соответствует строго определенная величина удельного сопротивления. На рис. 30 приведен график зависимости пробивного напряжения, а следовательно, напряжения стабилизации для кремния л-типа от удельного сопротивления. Оно измерено при токе б ма для электронно-дырочных переходов площадью 0 15 мм, полученных методом вплавления алюминия. [70]
Коренным разрешением этого противоречия является применение полупроводниковых пластин с нанесенными на них пленками монокристаллической структуры. Такие пленки, воспроизводящие кристаллографическую структуру подложки, получили название эпитаксиальных пленок. При производстве выпрямляющих диодов берут исходную подложку кремния с удельным сопротивлением менее 0 1 ом - см и наносят пленку с сопротивлением более 10 ом - см. Методом вплавления или диффузии на эпита-ксиальной пленке получают электронно-дырочный переход. [71]
Страницы: 1 2 3 4 5