Метод - вплавление
Cтраница 3
Узкий р - - переход получают чаще всего методом вплавления. [31]
 |
Конструкция р-п-р-пло - скосгного кристаллического триода, изготовленного методов вплавления. [32] |
Примерами изготовления типовых конструкций кристаллических триодов, полученных методом вплавления, являются следующие: в центре p - n - р кристаллического триода находится тонкая пластинка монокристалла германия n - типа. [33]
Германиевые диоды содержат - - переход, изготовленный методом вплавления индия в кристалл - германия. [34]
 |
Зависимость граничной концентрации неосновных носителей заряда около р-л-перехода от напряжения, приложенного к.| Технологические стадии вплавления примесей в моно-кристалл полупроводника. [35] |
Среди разнообразных методов формирования р-и-переходов наибольшее значение имеют два: метод вплавления и метод диффузии примесей. [36]
 |
Зависимость граничной концентрации неосновных носителей заряда около p - n - перехода от напряжения, приложенного к. [37] |
Среди разнообразных методов формирования р-п-переходов наибольшее значение имеют два: метод вплавления и метод диффузии примесей. [38]
Несмотря на эти недостатки, подавляющее большинство сплавных приборов изготавливают методом вплавления в кристалл кремния алюминиевого столбика ( штабика) диаметром 0 3 мм. [39]
Сплавными транзисторами называются транзисторы, р-п переходы в которых изготавливаются методом вплавления легирующей примеси в полупроводниковый материал. Перед вплавлением пластинку германия или кремния тщательно шлифуют, травят до необходимой толщины и сортируют по толщине с очень большой точностью. Обычно вплавление производится двумя способами: кассетным и бескассетным. [40]
 |
Структурные схемы плоскостного ( а и точечного ( б диодов. [41] |
На рис. 3.3, а, б приведены структуры плоскостного диода, изготовленного методом вплавления, и точечного диода. [42]
 |
Конструкция фотодиода ФД-2 в пластмассовом корпусе.| Спектральные характеристики германиевых 1 и кремниевых 2 фотодиодов. [43] |
Для изготовления p - n - переходов при производстве фотодиодов в настоящее время чаще всего используется метод вплавления примесей, но может применяться и диффузия. [44]
При их изготовлении область базы и коллекторный переход создаются методом диффузии, а эмиттер-ный переход - методом вплавления. Схематическое устройство такого транзистора показано на рис. 11.326. В качестве основы при изготовлении транзистора веретен пластина германия 2 с дырочной проводимостью, в которой делается лунка продолговатой формы, затем пластинка подвергается обработке в парах сурьмы, при диффузии которой образуется слой с электронной проводимостью 3, после чего пластинка германия шлифуется. При шлифовке удаляется слой с электронной проводимостью со всей поверхности, кроме лунок. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5