Метод - вплавление
Cтраница 4
Как удается выполнять такие операции, как нанесение на заданные участки изолирующих или проводящих слоев, ввод методом вплавления или диффузии в некоторые участки полупроводника строго дозированных примесей. [46]
 |
Схематическое изображение дрейфового транзистора, изготовленного методом вплавления - диффузии. [47] |
В Советском Союзе и за рубежом получил широкое распространение метод получения германиевых высокочастотных дрейфовых транзисторов, названный методом вплавления - диффузии. Этот метод заключается в том, что в исходную пластину вплавляется капля, состоящая из сплава донорного и акцепторного материала. При вплавлении происходит одновременно и диффузия, причем диффузия донора образует тонкий электронный слой, предшествующий рекристаллизационному акцепторному слою. Диффузионный слой образует тонкую базу. Рекристаллизационный слой представляет собой эмиттер. Вплавление производится в пластину с р-п переходом со стороны n - области. Нижняя р-область пластины представляет собой коллектор транзистора. [48]
Из известных способов получения р - n - переходов: диффузионного, вплавного и др., наиболее подходит метод вплавления. Он заключается [24] во вплавлении металлической капли, содержащей акцепторную примесь, в электронный кристалл или донорной примеси в кристалл с дырочной проводимостью. [49]
 |
Зависимость емкости переключающего диода от напряжения. [50] |
Приведенная на рис. 6 зависимость емкости переключающего диода от напряжения снята для прибора, у которого боковые переходы изготовлены методом вплавления, а центральный - методом диффузии из газовой фазы. [51]
Светодиоды могут быть созданы как методом диффузии примесей в монокристаллы карбида кремния, арсенида галлия, фосфида галлия и др., так и методом вплавления. Рассмотрим технологию изготовления диффузионных светодиодов из карбида кремния. [52]
Сплавные диффузионные триоды отличаются тем, что область базы и коллекторный p - n - переход получены методом диффузии примесей, а эмиттерный р-я-переход - методом вплавления. Эта технология позволяет снизить требования к качеству обработки поверхности исходной пластинки германия. [53]
Сплавно-диффузионные транзисторы ( или диффузионно-сплавные) отличаются тем, что у них базовая область и коллекторный переход изготовлены методом диффузии, а эмиттерный переход - методом вплавления. Многие наши транзисторы изготовлены именно таким методом. На рис. 6 - 18, а для примера показан один из вариантов устройства сплавно-диффузионных германиевых транзисторов р - п - р-типа. В пластинке германия с электропроводностью р-типа, являющейся коллектором, сделана лунка, в которой методом диффузии донор-ной примеси, например сурьмы, создан тонкий слой базы. Он образует коллекторный переход. Эмиттерная область р-типа создается вплавлением в базовый слой капли сплава, содержащего акцепторную примесь, например индий. Вывод от базы также осуществляется вплавлением капли сплава, содержащего сурьму. В рассмотренной конструкции обычно с корпусом соединяется коллектор. Аналогично могут изготовляться транзисторы типа п - р - п, а также кремниевые транзисторы. Эмиттерный переход в них получается малой толщины, и поэтому он может выдерживать только низкие обратные напряжения. [54]
Образование электронно-дырочного р - - перехода достигается методами вплавления, диффузии, а также эпитаксиальным выращиванием кристаллов и другими способами. Метод вплавления заключается в том, что в подготовленное основание из полупроводника определенной проводимости вплавляют материал, имеющий противоположную проводимость. Так, например, р - n - переход может быть получен, если основание схемы выполнить из кремния типа п и в верхний слой вплавить атомы алюминия. Площадь и глубину переходов регулируют количеством и размерами участков, которые подвергаются сплавлению, а также температурой и режимом проведения технологического процесса. [55]
 |
Принцип устройства дрейфового транзистора.| Принцип устройства сплавного транзистора. [56] |
В сплавных транзисторах невозможно сделать очень тонкую базу, и поэтому они предназначены только для низких и средних частот. При создании методом вплавления более тонкой базы ее толщина получается неодинаковой в разных местах и во избежание эффекта смыкания переходов приходится уменьшать напряжение коллекторного перехода, что снижает предельную мощность транзистора. [57]
Широко распространены микроплоскостные диоды, в которых р-п переход имеет плоскую или полусферическую форму и очень малую площадь. Микроплоскостной р-п переход изготовляют методом вплавления тонкой проволочки или маленького шарика ( шайбочки) с присадкой в германий или кремний элемента III или V группы периодической системы. [58]
 |
Схема технологического процесса изготовления сплавного. [59] |
Низкочастотными считают транзисторы с рабочими частотами до 3 Мгц, а маломощными - с допустимой мощностью рассеяния на коллекторе до 0 3 вт. Большинство относящихся к этой группе транзисторов изготовляют методом вплавления, поэтому их называют сплавными. Так как при изготовлении низкочастотных сплавных транзисторов обычно используют равномерно легированный исходный материал, то при малых токах электрическое поле в области базы таких транзисторов отсутствует и по механизму движения носителей они относятся к бездрейфовым. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5