Метод - вплавление
Cтраница 2
Барьерная емкость плоскостных диодовг изготовляемых методом вплавления примесей, уменьшается с повышением обратного. [16]
 |
Структура точечного сплавного кремниевого диода ( а и точечного сварного германиевого диода ( б.| Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. [17] |
Некоторые точечные кремниевые диоды изготовляют методом вплавления тонкой алюминиевой проволочки в кристалл кремния с n - типом электропроводности. [18]
 |
Вольтамперные характеристики плоскостного и точечного диодов. [19] |
Почти все выпрямительные плоскостные диоды изготавливаются методом вплавления. В зависимости от площади перехода и методов теплоотвода эти диоды способны выпрямлять токи от 300 мА до 1000 А. [20]
Широко распространенным методом образования р-п переходов является метод вплавления. [21]
Наиболее распространенным способом приготовления плоскостных переходов является метод вплавления соответствующей примеси в пластинку полупроводника, обладающего определенным типом проводимости. После прогрева при температуре 600 - 800 С образуется сплав металла ( индий) с полупроводником. При последующем охлаждении равновесная концентрация полупроводника в расплаве уменьшается. При этом полупроводник захватывает атомы примеси и при достаточном их количестве приобретает ПРОВОДИМОСТЬ, ПРОТИВОПОЛОЖНУЮ ИСХОДНОЙ. [22]
Такой переход наблюдается у диодов, полученных методом вплавления. [24]
Узкий p - n - переход получают методом вплавления примесей. Время и температуру вплавления выбирают возможно меньшими, чтобы исключить процессы диффузии. Кроме того, примесь должна быть с малым коэффициентомч диффузии. Диффузионное проникновение примесей на глубину до 10А при общей ширине перехода 100 - 150А считается приемлемым. Важную роль играет и время охлаждения. Если оно выбрано слишком большим, то это может повлечь за собой дополнительное расширение перехода из-за диффузии примесей. При быстром охлаждении переход получается более узким, а рекристаллизованная область - более легированной. [25]
 |
Устройство сплавного транзистора. / - эмиттер. 2 - коллектор. 3 - база.| Упрощенная схема изготовления диффузионного транзистора. [26] |
Широко распространенным методом образования р - п-переходов является метод вплавления. [27]
 |
Схема слоистой структуры 4. [28] |
В силу того, что в промышленности и метод вплавления столбика, и метод пирога широко распространены, укажем направления, по которым ведется дальнейшая доработка этих методов. Применяют алюминий, легированный кремнием, что улучшает смачиваемость кремния и фронт вплавления и снижает механические напряжения. В некоторых новых приборах вместо вплавления столбика применяют вплавление силуминовых шариков, что улучшает структуру перехода. [29]
Страницы: 1 2 3 4 5