Дырка

Cтраница 1

Дырка перемещается справа налево. Теперь в нее переходит другая точка, изображающая электрон в пространстве импульсов, и таким образом дырка передвигается в направлении, обратном тому, в котором движутся электроны. [1]

Дырки, вошедшие в электронный полупроводник, создают там электрическое поле. Под действием этого поля одновременно с появлением дырок из внешней: цепи поступают дополнительные электроны, которые нейтрализуют избыточный заряд дырок, и тем самым сохраняют электрическую нейтральность. Такое же явление происходит и в дырочном полупроводнике. [2]

Дырки же будут вести себя по-разному в зависимости от той части электронного полупроводника, где они возникают. Дырки, генерируемые в области объемного заряда, будут сразу выталкиваться полем в дырочный полупроводник, так как поле контактной разности потенциалов направлено от электронного полупроводника к дырочному. [3]

Направление движения носителей заряда, генерируемых светом. [4]

Дырки, возникшие в глубине электронного полупроводника, будут диффундировать к области объемного заряда, но вследствие большого расстояния дойти до нее не смогут и будут рекомбинировать с электронами. [5]

Дырка может перемещаться по кристаллической решетке, причем ее перемещение равносильно перемещению положительного заряда, равного по абсолютной величине заряду электрона. [6]

Энергетические уровни сво-электронов и дырок. [7]

Дырки - свободные носители положительных электрических зарядов - можно характеризовать так же, как и электроны, уровнем энергии, соответствующем энергетическому уровню электронной оболочки, на которой имеется это незанятое место. [8]

Дырки, которые ведут себя во многом сходно с электронами, также удобно представлять в виде волновых пакетов. [9]

Дырки, которые входят в базу с эмиттера, двигаются главным образом к коллекторной переходной области и отсюда к коллекторному выводу. Причиной такого движения является то, что электрическое поле в базе является сравнительно малым и дырки распространяются в базе за счет процесса диффузии. [10]

Дырки и электроны являются подвижными носителями зарядов. Принцип действия полупроводниковых вентилей основан на односторонней проводимости слоя на границе двух полупроводников с различными типами электропроводимости. [11]

Дырки ведут себя, как элементарные положительные заряды. Дырочная проводимость состоит в том, что под влиянием разности потенциалов перемещаются дырки, а это эквивалентно перемещению положительных зарядов. [12]

Дырки, продиффундировавшие через базу, подхватываются полем коллекторного перехода, которое является для них ускоряющим, и втягиваются в коллектор. В области контакта коллектора с внешней цепью дырки рекомбинируют с электронами, подходящими из внешней цепи от источника питания Ек. Цепь тока оказывается замкнутой. [13]

Последовательные этапы роста поликристалличсской пленки золота на угольной подложке при 20 С. [14]

Дырка содержит много вторичных зародышей, которые срастаются друг с другом и образуют вторичные островки, а они уже достигают краев дырки и срастаются с основной пленкой, так что дырка становится чистой. В ней снова образуются вторичные зародыши, и процесс повторяется до тех пор, пока вся дырка не заполнится. До тех пор, пока не образуется сплошная пленка, поведение конденсата остается аналогичным поведению жидкости. На стадии роста, характеризующейся образованием каналов и дырок, вторичные зародыши ( островки) объединяются с более массивными областями пленки менее, чем за 0 1 с. Можно также наблюдать за процессом заполнения канала, когда поперек канала образуется мостик конденсата, и конденсирующаяся фаза растекается вдоль канала со скоростями порядка 1 - 300 А / с. Оказывается, что канал при этом заполняется не полностью и вначале двигается только очень тонкий слой, а утолщение его происходит за гораздо большее время. Каналы обычно бывают очень нерегулярными, а граничные области имеют кристаллическую огранку. Ясно, что процессы срастания зародышей с основной пленкой и быстрого исчезновения каналов аналогичны процессам, происходящим в жидкости и являются проявлением одного и того же физического эффекта, а именно, минимизации полной поверхностной энергии нарастающего материала путем ликвидации областей с высокой кривизной поверхности. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5