Cтраница 5
Дырки, которые инжектируются внутрь базовой области nl, будут диффундировать по направлению к переходу / 2, частично рекомбинируя с электронами при движении через базовый слой. Доля инжектированного дырочного тока, кото рая достигает перехода / 2, определяется как коэффициент пере носа PJ. Таким образом, произведение YiPi i есть доля анодного тока, который переносится дырками из области р через слой nl и собирается у перехода / 2, как об этом уже говорилось в гл. [61]
Дырки диффундируют к переходу / 2, а те, которые собираются им, текут в направлении омического контакта. Вследствие протекания дырочного тока возникает падение потенциала, которое приводит к тому, что электроны инжектируются слоем пЗ в слой р2, когда дырочный ток достигает подходящей величины для того, чтобы вызвать положительное смещение в несколько десятых долей вольта. Степень прямого смещения вдоль / 4 пропорциональна продольному сопротивлению слоя базовой области р2, который находится между слоями пЗ и nl, а также величине перекрытия в области А. Таким образом, прибор начинает открываться в области А. Но когда в цепи управления ток начинает нарастать, напряжение на Rg ( как это было показано на фиг. Так как продольное сопротивление слоя р достаточно велико, дырки будут также инжектироваться из слоя р в слой nl в области В, где они диффундируют через слой nl и собираются переходом / 2, повышая потенциал слоя р2 относительно слоя п2 в области В. [62]
Дырки и электроны создаются в слое объемного заряда как под действием тепла, так и благодаря лавинному умножению. Как и в подразд. [63]
Дырки, участвующие в анодном растворении, доставляются к поверхности вследствие диффузии. В герма-кии п типа дыркк не являются основными носителями тока, и их число относительно невелико. Поэтому при высоких скоростях электрохимической реакции будет происходить обеднение поверхностного слоя дырками и при достижении некоторой плотности тока может наступить такой момент, когда число дырок, потребляемых при анодном процессе, будет равно числу дырок, доставляемых на поверхность. Плотность тока насыщения ( t 3 - 10 - 3 а / см2) не является универсальной величиной. Ее численное значение зависит от электрофизических параметров и кристаллической структуры германия. [64]