Дырка

Cтраница 2

Переходный процесс переключения диода. [16]

Дырки, ушедшие через переход, образуют заряд переключения. [17]

Дырки, инъектированные эмиттером, распространяются вдоль базы с определенной сравнительно небольшой скоростью, равной отношению DJL. Величина L колеблется в пределах 0 1 - М мм, величина D, в зависимости от материала и типа проводимости, в пределах 13 - 96 см2 / сек. Соответственно диффузионная скорость движения носителей вдоль базы не превышает 100 м / сек. [18]

Дырки, инъектируемые в базу, движутся под действием градиента их плотности ( диффузия) или поля ( дрейф) в направлении коллектора. В базовый вывод они не проходят, поскольку у базового контакта образуется слой из электронов, с которыми дырки рекомбинируют. Электроны же проходят беспрепятственно. [19]

Дырки же уподобляют структуру кристалла твердым растворам I рода ( см. гл, V, § 9), в которых роль растворяемой компоненты играет пустота. [20]

Дырки и смещенные атомы нарушают порядок кристалла и несколько сглаживают различия в структуре кристалла и жидкости. Беспорядок, вносимый этими нарушениями правильности решетки, ведет к увеличению ее энтропии. [21]

Дырка имеет положительный заряд, равный по величине заряду электрона. [22]

Дырка в дираковском море электронов с отрицательными энергиями возникает тогда ( и это означает рождение наблюдаемого экспериментатором антиэлектрона), когда один из электронов моря поглощает фотон с энергией не менее 2тс2 и совершает квантовый переход через энергетическую щель в область положительных энергий. В результате одновременно с рождением антиэлектрона ( позитрона) экспериментатор должен регистрировать также появление электрона. [23]

Дырки в этом списке как раз и являются не-теоремами. Можно ли предположить, что лишь постольку, поскольку они являются пробелами в неком упорядоченном списке, они обладают какими-то общими чертами. Дело в том, что дырки определены только негативно: они представляют из себя то, что осталось от позитивно определенного списка. [24]

Энергия ионизации акцепторов в кремнии и германии. [25]

Дырка при этом становится свободной. Примеси, поставляющие свободные дырки, называют акцепторными. [26]

Дырки аналогично электронам обладают собственным магнитным моментом, равным [ ля ( а следовательно, и парамагнитными свойствами. Это следует хотя ( ы из того, что при удалении электрона из валентной зоны, ее магнитный момент меняется на величину рв. [27]

Дырка может блуждать по кристаллу. [28]

Устройство ( а и схема включения ( б фототранзистора. [29]

Дырки - неосновные носители - диффундируют к коллекторному переходу и выбрасываются в коллектор, увеличивая ток в его цепи, подобно тому, как это происходит в фотодиоде. Но для фототранзистора характерен еще один процесс, отличающий его от фотодиода. Образовавшиеся электроны - основные носители базовой области - не могут покинуть базу, так как базовый вывод отсутствует. Скапливаясь в базе, они увеличивают отрицательный объемный заряд, в том числе и у эмиттерного перехода. В результате потенциальный барьер у этого перехода снижается и развивается диффузионный поток дырок из эмиттера в базу. Дырки, диффундируя в толще базы, подходят к коллекторному переходу и выбрасываются полем этого перехода в коллектор. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5