Дырка

Cтраница 3

Дырки, попавшие в область базы, частично рекомби-нируют со свободными электронами базы. Однако база обычно выполняется из n - полупроводника с большим удельным сопротивлением ( с малым содержанием донор ной примеси), поэтому концентрация свободных электронов в базе низкая и лишь немногие дырки, попавшие в базу, рекомбинируют с ее электронами. [31]

Дырки, продиффундировавшие через базу, подхватываются полем коллекторного перехода, которое является для них ускоряющим, и втягиваются в коллектор, образуя коллекторный ток / к. Этот процесс втягивания носителей тока полем перехода называется экстракцией. В области контакта коллектора с внешней цепью дырки рекомбинируют с электронами, подходящими из внешней цепи от источника питания Ек. Цепь тока оказывается замкнутой. [32]

Дырки, как и электроны, способны диффундировать внутри полупроводника, но скорость и концентрация дырок тем больше, чем выше температура. В полупроводниках с дырочной проводимостью дырки, диффундируя от горячего конца к холодному, заряжают холодный конец положительно, а горячий отрицательно. [33]

Дырка и свободный электрон отличаются не только знаком своего заряда. Не следует забывать, что они находятся в разных зонах - дырка в полосе нормальных уровней, свободный электрон - в полосе возбуждения. Ширина этих полос различна, а чем уже полоса, тем больше величина эффективной массы; поэтому различны условия движения зарядов, и давление и температура влияют различно на дырки и электроны. [34]

Дырки в р-области движутся к р - л-переходу и, проходя через него, вступают в / г-область в качестве неосновных носителей заряда, где и реком-бинируют с электронами. То же относится и к электронам в га-области, которые, переходя границу раздела, попадают в / - область и рекомбинируют с дырками. Однако эта рекомбинация происходит не мгновенно, и поэтому в л-области окажется избыточная концентрация дырок лд, а в / - области - избыточная концентрация электронов пэ. При этом избыточные дырки в л-области будут притягивать к себе электроны, так что увеличится и концентрация электронов; объемный заряд, как и в отсутствии тока, не образуется. [35]

Дырки называются основными носителями заряда, а электроны - неосновными. Полупроводник с акцепторной примесью носит название дырочного, или р-типа. [36]

Дырки называются основными носителями заряда, а электроны - неосновными. Полупроводник с акцепторной примесью носит название дырочного, или р-типа. [37]

Распределение токов в, транзисторе типа р-п - р. [38]

Дырки эмитируются ( впрыскиваются) из левой области в среднюю, и поэтому левая область кристалла получила название эмиттера. Средней области присвоено название базы. P - rt - переход, разделяющий эмиттер и базу, называют обычно эмиттерным переходом. Поток дырок, поступающий в базу из эмиттера, создает э м и т-терный ток транзистора. [39]

Дырки, генерируемые в электроде из полупроводника - типа вместо того, чтобы взаимодействовать с восстановителем в растворе, могут реагировать с материалом электрода. [40]

Дырка аннигилирует с электроном в простетической группе фермента, содержащего марганец. Для образования одной молекулы кислорода необходимо всего 4 электрона, что связано с поглощением четырех квантов света. При этом в четырех марганецсодержащих участках фермента ( каждый из которых содержит по 2 атома марганца) происходят согласованные процессы окисления двухвалентного марганца до трехвалентного. В то же время протоны пересекают мембрану и накапливаются внутри тила-коида. [41]

Возникновение пары электрон-дырка в полупроводниковом. [42]

Дырка переместится от одного атома к другому, этот обмен может продолжаться, и дырка станет такой же путешественницей, как и свободные электроны. [43]

Дырки и свободные электроны блуждают внутри полупроводника. При столкновении их между собой положительно заряженная дырка легко захватывает электрон у отрицательно заряженного иона. Образуются два нейтральных атома, а подвижные заряды: дырка и электрон - пропадают. Такое столкновение, приводящее к исчезновению подвижных зарядов, называют рекомбинацией. Чем больше подвижных зарядов в полупроводнике, тем чаще происходят рекомбинации. Особенно, часто происходят рекомбинации у поверхности полупроводника. Под действием ионизации и рекомбинаций устанавливается определенная концентрация подвижных зарядов. [44]

Дырки, вошедшие в электронный полупроводник, создали там электрическое поле. Под действием этого поля, одновременно с появлением дырок, из внешней цепи поступают дополнительные электроны, которые нейтрализуют избыточный заряд дырок, чем сохраняется электрическая нейтральность. Такое же явление происходит и в дырочном полупроводнике. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5