Дырка

Cтраница 4

Схема частичного заполнения двух перекрывающихся зон. [46]

Дырка ведет себя как положительно заряженный электрон ( л) с эффективной массой тр. [47]

Дырки заряжают р-область положительно относительно - области, а электроны - - область отрицательно по отношению к р-области. [48]

Дырки, создаваемые при освещении у поверхности электронного полупроводника, диффундируют в объем, имеющий температуру Т 300 К, где они ре-комбинируют с электронами проводимости. [49]

Эквивалентные схемы лампового и транзисторного усилителей. а - схема транзисторного усилителя с общим эмиттером ( 1 п. гд - распределенное сопротивление базы, ra - сопротивление эмиттер-пого перехода, гк - сопротивление коллекторного перехода, Р - коэфф. усиления по току схемы с общим эмиттером. RH - сопротивление нагрузки. б - эквивалентная схема лампового усилителя с общим катодом. Л - внутр. сопротивление лампы, ц - коэфф. усилении лампы.. / ск - напряжение между ее сет кой и катодом. [50]

Дырки диффундируют через базу со средним временем пролета тпр, определяющим / ая 1 / тпр. [51]

Движение свободных электронов ( кружки со знаком - и дырок ( кружки со знакбм при прохождении тока через р - и-переход. а Пропускное включение, б Запорное включение. [52]

Дырки и электроны будут двигаться - к границе, навстречу друг другу ( рис. 196, а); запорный слой будет обогащаться электронами и дырками, и сопротивление его уменьшится. Ток в этом пропускном направлении будет силен. Напротив, если мы присоединим плюс батареи к электронному проводнику, а минус - к дырочному, то внешнее поле будет двигать электроны и дырки от границы в противоположные стороны ( рис. 196, б), запорный слой будет расширяться, и сопротивление тела резко возрастет. [53]

Структура диода Рида.| Эквивалентная схема ЛПД. [54]

Дырки, генерируемые в области сильного поля у р - п перехода, сваливаются в р - область, а генерируемые электроны инжектируются в пролетное пространство, где они совершают работу, вследствие которой во внешнюю цепь передается высокочастотная энергия. [55]

Движение электронов ( -. -. -. - и - дырок ( - - - - - - - - - - - в тиристоре, находящемся в закрытом состоянии при прямом включении ( ф - рекомбинация, О - генерация. [56]

Дырки, перемещающиеся в базе л-типа от перехода Д к переходу j2, частично рекомбинируют с электронами. Поэтому перехода jz достигает определенное их количество ( PxYi / J, обусловленное коэффициентом переноса р через базовую область. [57]

Дырки, продиффундировавшие к переходу / 2, перебрасываются его полем в область рх, увеличивая встречную инжекцию электронов. [58]

К пояснению принципа работы транзистора. [59]

Дырки, попав в базу, для которой они являются неосновными носителями заряда, начинают рекомбинировать с электронами. Но рекомбинация - процесс не мгновенный. Поэтому почти все дырки успевают пройти через тонкий слой базы и достигнуть коллекторного р - n - перехода прежде, чем произойдет рекомбинация. Это поле для дырок является ускоряющим, и поэтому они быстро втягиваются из базы в коллектор и участвуют в создании тока коллектора. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5