Инжектированная дырка

Cтраница 1

Инжектированные дырки достигают коллекторного перехода не мгновенно, так как время их диффузии в базе конечно. Ток / к начинает расти по мере прихода инжектированных дырок, диффундирующих в базе, к коллекторному переходу. Поскольку распределение тепловых скоростей дырок описывается законами статистики, время их движения к коллектору различно. [1]

Инжектированные дырки движутся в л-базе в направлении к л - слою. Достигнув л - л перехода, дырки не могут преодолеть его потенциальный барьер и накапливаются в л-базе, частично успевая рекомбинировать с электронами. Для компенсации положительного заряда накопленных в л-базе дырок и рекомбинации с ними необходим приток электронов в л-базу. Потенциальный барьер на п - п переходе уменьшается. Однако концентрация электронов в л - слое намного больше концентрации дырок в л-базе. Электронов из л - слоя в л-базу поступает при этом намного больше, чем дырок из л-базы в л - слой. Поэтому л - слой также называют эмиттером. [2]

Структура, вольт-амперная характеристика и энергетические диаграммы двухэлектродного тиристора. [3]

Инжектированные дырки диффундируют к р-я-переходу коллектора, проходят через этот переход и попадают в р-базу. Дальнейшему их продвижению по тиристорной структуре препятствует небольшой потенциальный барьер левого эмиттерного перехода. Следовательно, в р-базе происходит накопление избыточного положительного заряда, что обусловливает увеличение инжекции электронов из - эмиттера. В результате накопления избыточного положительного заряда в р-базе и отрицательного в n - базе при напряжении на тиристоре ( 7ВКЛ ( напряжении включения) происходит резкое увеличение тока, проходящего через тиристор, и одновременное уменьшение падения напряжения на тиристоре. В режиме, соответствующем второму участку, напряжение на коллекторном переходе оказывается прямым из-за большого заряда, накопленного в базах. [4]

Инжектированные дырки в базовые области продолжают диффузионное движение в базе - часть из них рекомбинирует с электронами, входящими с базы в эмиттер, а остальные приближаются к коллекторному переходу. На границе этого перехода нерекомбинированные дырки попадают в зону действия поля перехода, которое оказывает на дырки ускоряющее действие. [5]

Инжектированные дырки диффундируют через область базы, в которой незначительное их число рекомбинирует с электронами. Следовательно, существует поток электронов в базовую область ( из внешней цепи), непрерывно восстанавливающий число электронов, теряемых при рекомбинации. Остальные дырки, не участвующие в рекомбинации, поступают на коллектор. [8]

Инжектированные дырки в базе внутренним полем при-жимаются к р-л-переходу, и в л-области базы происходит накопление заряда. [9]

Схема включения однопере-ходного транзистора.| Вольт-амперные характеристики ОТ при разных положениях светового луча. / - в темноте. 2 - при освещении 150. [10]

ББ, инжектированные дырки уносятся в нижнюю часть базы, поэтому ее сопротивление еще больше уменьшается. Падение сопротивления нижней части базы приводит к - дальнейшему уменьшению напряжения Un и увеличению Up - nt поэтому инжекция носителей и ток через р - - переход продолжают расти. [11]

Продольный транзистор типа р-п - р ( а и продольный тиристор ( б. [12]

В продольном транзисторе инжектированные дырки перемещаются от эмиттера к коллектору вдоль поверхности, что и определило его название. [13]

Токи в транзисторе с коллекторной утечкой и зависимость / г21Б транзистора с коллекторной утечкой от тока эмиттера.| Входные характеристики транзистора с коллекторной утечкой при включении по схеме с ОК ( аналогично однопереходному транзистору,. [14]

Через коллектор проходят только инжектированные дырки и Ajii; 1 за счет рекомбинации части дырок в базе. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5