Инжектированная дырка
Cтраница 4
 |
Форма кривых коллекторного и эмиттерного. [46] |
На рис. 3.15 показаны диаграммы эммитерного и коллекторного токов, а также распределение инжектированных дырок в базе транзистора для трех случаев. [47]
Поскольку заряды электронов и дырок равны, то количество вошедших электронов равно - количеству инжектированных дырок. [48]
Диффузионная емкость Сд заряжается как инжектированными дырками, так и электронами, компенсирующими заряд инжектированных дырок. [49]
А ] и А представляют соответственно число молекул на единицу площади поверхности кристалла и число инжектированных дырок на единицу площади поверхности кристалла. Константы скорости ( в см3 - с 1) для прямых и обратных реакций обозначены k и & red соответственно. [51]
 |
Схема включения р-п - р транзистора. [52] |
Поскольку толщина базы W специально выбирается меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда Lp, рекомбинация в базе невелика и подавляющая часть инжектированных дырок дойдет до коллектора. Поэтому ток в выходной цепи будет почти равен току эмиттера. На включенном последовательно с коллекторным переходом сопротивлении нагрузки Rn будет выделяться напряжение, пропорциональное протекающему через него току коллектора. [53]
Вебстер обратил внимание на то обстоятельство, что с ростом тока эмиттера происходит модуляция проводимости базовой области за счет увеличения плотности инжектированных дырок и такого же увеличения плотности электронов, обусловленного требованием электронейтральности. Поэтому с увеличением тока эмиттера проводимость базовой области будет расти, коэффициент инжекции эмиттера Y ( отношение дырочного тока эмиттера к суммарному току эмиттера) - падать, а потери тока, определяемые коэффициентом инжекции эмиттера ( третий член правой части ( 3 - 12), будут расти. [54]
 |
Схема для измерения. [55] |
Диод включен в прямом направлении, через него протекает прямой ток, в р-области устанавливается распределение инжектированных электронов, в п-области - инжектированных дырок. [56]
Константа скорости прямой реакции vf зависит от внешнего поля по механизму взаимодействия заряда с кулоновским полем зеркального изображения, действие которого направлено на возвращение инжектированной дырки к инжектирующей поверхности. [57]
Так как никакое перераспределение свободных зарядов внутри электрически нейтрального полупроводника не может скомпенсировать объемного заряда дырок, то для восстановления состояния электрической нейтральности полупроводника из внешнего вывода должно войти дополнительное количество электронов, суммарный заряд которых будет равен суммарному заряду инжектированных дырок. Поскольку электрон и дырка имеют равные по величине и противоположные по знаку заряды, то количество электронов, входящих в объем полупроводника из внешнего вывода, должно равняться количеству инжектированных дырок. [58]
Для германиевого р-гг-перехода предыдущей задачи вычислить: а) концентрацию дырок на границе обедненного носителями заряда слоя и материала n - типа, если на переход подаются прямые и обратные напряжения 25, 50 и 100 мВ; б) прямое напряжение, при котором концентрация инжектированных дырок составляет 10 % равновесной концентрации электронов; в) удельную проводимость на границе обедненного носителями заряда слоя в этом случае. [59]
Поэтому электроны, накапливаясь в области п, образуют избыточный отрицательный заряд, который понижает высоту потенциального барьера перехода и, следовательно, вызывает увеличение инжекции дырок из области р в область rii. Инжектированные дырки диффундируют к переходу Я2, проходят через него и попадают в область р2, накапливаясь там. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5