Инжектированная дырка

Cтраница 3

Последнем выражении представляет полный заряд Qp, образуемый инжектированными дырками в я-области. [31]

Влияние модуляции толщины базы на входные величины. [32]

Во-первых, изменение толщины базы влияет на ту долю инжектированных дырок, которая доходит до коллектора, избежав рекомбинации. [33]

Таким образом, в п-области накапливается избыточный заряд фргшзб инжектированных дырок, и в / 7-обла-сти - избыточный заряд Qnpira6 инжектированных электронов. [34]

Мопи [3] другим методом, основанным на предположении, что инжектированные дырки рскомбшшруют с временем жизни т, и что образец достаточно длинен, чтобы эта рекомбинация могла произойти. Для вывода ( 17) названные предположения не нужны. Поэтому наше соотношение, приводя для длинных образцов к тем же результатам, что и формула Мэни для стационарного случая, применимо также к коротким образцам. Инжекция носителей тока через точечные контакты и р - и-пероходы широко обсуждалась в литературе. [35]

Распределение инжектированных дырок в базе транзистора. [36]

Если бы в базе не было рекомбинации, то все инжектированные дырки доходили бы до коллектора и коллекторный ток был бы равен дырочной составляющей эмиттерного тока, которая фактически равна току эмиттера. [37]

Во первых, изменение толщины базы влияет на ту долю инжектированных дырок, которая доходит до коллектора, избежав рекомбинации. [38]

Под действием электрического поля в базе, создаваемого напряжением Убб, инжектированные дырки уносятся в нижнюю часть базы, вследствие чего ее сопротивление еще больше уменьшается. Уменьшение сопротивления нижней части базы приводит к дальнейшему уменьшению напряжения Vi и увеличению УР-п, вследствие чего инжекция носителей и ток через р - / г-переход продолжают расти. Таким образом, входная характеристика однопереходного транзистора ( рис. 5.9 6) относится к S-типу. Ее существенным отличием от аналогичных характеристик других приборов является то, что включение происходит при практически нулевых токах эмиттера. [39]

В процессе выключения при биполярном режиме обратносмещенный управляющий переход осуществляет вынос инжектированных дырок, находящихся в области канала. На этапе формирования потенциального барьера в канале дырки попадают в ускоряющее поле, втягивающее их в затвор Электроны, наоборот, оттесняются данным полем к оси канала и к стоковой области. В результате происходит интенсивное рассасывание накопленного заряда, сопровождающееся протеканием относительно большого по амплитуде отрицательного импульса тока затвора. Выключение СИТ в данном режиме качественно аналогично переключению диода из прямого состояния в обратное. [40]

Таким образом, в n - области накапливается избыточный заряд фрпизб инжектированных дырок, и в р-обла-сти - избыточный заряд QBpiI06 инжектированных электронов. [41]

Обедненные слои в транзисторе и потенциальная диаграмма. [42]

В базе обычного транзистора электрическое поле отсутствует, поэтому дальнейшее движение инжектированных дырок определяется процессом диффузии. [43]

Пусть теперь Пхпп пп, что равносильно утверждению, что концентрация инжектированных дырок из р-области в га-область много меньше, чем концентрация электронов, нормально присутствующих в - области. [44]

Как говорилось в § 1.3, при прямом смещении для компенсации объемного заряда инжектированных дырок в базу диода входит с омического контакта ( § 1.7) такое же количество электронов. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5