Инжектированная дырка

Cтраница 5

Схема р - i-п-диода а, распределение концентра-носителей заряда в нем энергетическая диаграм. [61]

При приложении внешнего напряжения в прямом направлении из р-области в i-базу инжектируются дырки, а из - области электроны. Инжектированные дырки, диффундируя через базу, частично ре-комбинируют с электронами, а оставшаяся часть пе-рп реходит в n - область, где рекомбинация завершается быстрее вследствие большей концентрации электронов. Аналогично происходит движение инжектированных электронов и. [62]

При этом на эмит-терном переходе возникает дополнительное прямое напряжение, что усиливает инжекцию дырок из эмиттера в базу. Инжектированные дырки, достигая коллекторного перехода, вызывают дополнительное увеличение тока коллектора. [63]

Структура, ВАХ и энергетические диаграммы диодного тиристора. [64]

Поэтому часть электронов, оказавшись в потенциальной яме и-базы, образует избыточный отрицательный заряд, который, понижая высоту потенциального барьера правого эмиттерного перехода, вызывает увеличение инжекции дырок из р-эмиттера в / г-базу. Инжектированные дырки диффундируют к коллекторному переходу, втягиваются полем коллекторного перехода и попадают в р-базу. Дальнейшему их продвижению по структуре тиристора препятствует небольшой потенциальный барьер левого эмиттерного перехода. Следовательно, в р-базе происходит накопление избыточного положительного заряда, что обусловливает увеличение инжекции электронов из n - эмиттера. [65]

Зонные диаграммы для транзистора при различных режимах его работы. [66]

При большой разнице в удельных сопротивлениях слоев Э и Б электронная составляющая тока, как известно, не играет большой роли и ею пока можно пренебречь. Инжектированные дырки, пройдя базу, доходят до коллекторного перехода и свободно проходят в коллектор. [67]

Страницы: 1 2 3 4 5