Инжектированная дырка

Cтраница 2

Как видим, концентрация инжектированных дырок зависит только от равновесной плотности дырок в га-области и приложенного напряжения и не зависит от параметров р-области. [16]

Схема переключения и осциллограммы входного напряжения и тока через диод. [17]

В процессе диффузии часть инжектированных дырок рекомбинирует с электронами базы, поэтому концентрация избыточных дырок уменьшается по мере удаления от р-п перехода. При длительном протекании прямого тока процесс рекомбинации дырок в базе уравновешивается их инжекцией р-п переходом. [18]

Фототранзистор. а - структура фототранзистора. б - схема включения. [19]

Достигая коллекторного р-п перехода, инжектированные дырки увеличивают коллекторный ток в значительно большей мере, чем те дырки, которые образовались под действием света непосредственно в базе. Происходит, таким образом, внутреннее усиление фототока, которое обусловливает более высокую интегральную чувствительность фототранзисторов по сравнению с фотодиодами. [20]

Очевидно, что значительная часть инжектированных дырок не попадает на эмиттер и будет рекомбинировать на поверхности, прилегающей к эмиттеру, а также в объеме пассивной области базы. [21]

Очевидно, что значительная часть инжектированных дырок не попадет на эмиттер и будет рекомбинировать на поверхности, прилегающей к эмиттеру, а также в объеме пассивной области базы. [22]

Оно показывает, что концентрация инжектированных дырок уменьшается с увеличением расстояния от перехода по экспоненциальному закону. Величина Ьд носит название длины диффузионного смещения или, короче, длины диффузии дырок. [23]

Оно показывает, что концентрация инжектированных дырок затухает с увеличением расстояния от перехода по экспоненциальному закону. Введенная нами характеристическая длина Ld, есть расстояние, на котором концентрация избыточных дырок уменьшается в е 2 71 раза. Величина Ld носит название длины диффузионного смещения или, короче, длины диффузии дырок. [24]

Зависимость емкости ступенчатого ( а и плавного ( б переходов от обратного напряжения. [25]

Диффузионная емкость Сд заряжается как инжектированными дырками, так и электронами, компенсирующими заряд инжектированных дырок. [26]

При высоком уровне инжекции, когда концентрация инжектированных дырок значительно превышает концентрацию равновесных электронов, для поддержания градиента концентрации электронов необходимо значительное электрическое поле. В этом случае перенос тока имеет как диффузионную, так и дрейфовую природу. При этом возрастает диффузионная составляющая / пдиф, обусловленная возрастанием градиента электронов и компенсирующая дрейфовую составляющую / Пдр. Возникшее электрическое поле оказывает влияние на ток неосновных носителей, ускоряя их движение. [27]

Авторами решены уравнения для определения зависимости плотности инжектированных дырок от расстояния до края эмиттера при малом и высоком уровне инжекции. Для малого уровня инжекции получены выражения, близкие к результату Флетчера. [28]

Ри - составляющая тока коллектора, создаваемая инжектированными дырками; / Обр - обратный ток коллекторного перехода. [29]

Поскольку толщина базы мала, то основная часть инжектированных дырок проходит ее насквозь. Как было показано при рассмотрении /) - га-перехода, падение потенциала в основном происходит на самом переходе, а напряженность электрического поля в объеме полупроводника оказывается малою Если дырки не инжектируются, то ток коллектора попросту равен току насыщения для перехода, на который подано смещение в запорном направлении. Когда же неравновесные дырки достигают коллектора, тогда вследствие экстракции этих дырок происходит увеличение тока коллектора, который, как мы видели, попросту равен току дырок, достигающих р - га-перехода благодаря диффузии ( см. гл. Если область с проводимостью га-типа узка, а время жизни дырок достаточно велико, то почти все инжектированные дырки достигнут коллектора. Увеличение тока эмиттера на величину 6 / в приведет к росту дырочного тока на величину у / е и если коллектора достигает только часть инжектированных дырок р, то ток коллектора возрастет на величину Ру / е; таким образом, коэффициент усиления по току ару. Мы предполагаем при этом, что коллекторный ток почти полностью переносится дырками, в чем легко можно убедиться путем создания коллекторной / - области из вещества, обладающего более высокой проводимостью, чем материал с проводимостью га-типа, из которого приготовлена база. Следовательно, для транзисторов с переходами имеем а1, но а может лишь незначительно отличаться от единицы. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5