Гибридная микросхема

Cтраница 1

Гибридные микросхемы являются как бы переходным вариантом между схемами, выполненными на дискретных элементах, и полностью полупроводниковыми интегральными микросхемами, имеющими высокую степень интеграции и большую многофункциональность. [1]

Общий вид, основные размеры и обозначение выводов микросхем К224 ( а и вид сбоку ( 6.| Универсальный усилитель ( а и схема его включения ( б. [2]

Гибридные микросхемы, используемые в радиовещательных и телевизионных приемно-усилительных устройствах, выпускают в прямоугольном металлополимерном корпусе с 9 выводами ( рис. 154 о б), массой 3 г, с диапазоном рабочих температур от - 30 до 50 С. [3]

Классификация интегральных микросхем. [4]

Гибридные микросхемы состоят из пленочных пассивных элементов, бескорпусных активных ( диодов и транзисторов) и проводящих соединений. [5]

Гибридная микросхема - комбинированная пленочная микросхема, в которой некоторые элементы ( обычно активные) имеют самостоятельное конструктивное оформление и монтируются на подложке в качестве навесных элементов. [6]

Гибридная микросхема изготовлена на керамической подложке размером 24X30 мм. [7]

Гибридные микросхемы располагают таким образом, чтобы коммутация между ними осуществлялась по минимально коротким связям. В качестве частотно-избирательных узлов применяют интегральные пьезоэлектрические фильтры, активные и цифровые RC-фильтры, фильтры на поверхностных акустических волнах, усилители с пленочными и кольцевыми катушками индуктивности, ЭРЭ, конструктивно совместимые с бескорпусными ГИС. [8]

Общий вид, основные размеры и обозначение выводов микросхеме К237 ( о и вид сбоку ( б.| Усилитель высокой частоты и преобразователь в трактах AM ( а и схема их включения ( б. [9]

Эти гибридные микросхемы выполняют в прямоугольном пластмассовом корпусе с 14 выводами ( рис. ПО, а, б), массой 3 г, с диапазоном рабочих температур от - 30 до - 1 - 70 С. [10]

Однако гибридные микросхемы отличаются от полупроводниковых большими размерами и более сложной технологией сборки. [11]

Такие гибридные микросхемы содержат цепи нагрузки, смещения и стабилизации рабочей точки усилительных каскадов и обязательно используют внешние цепи коррекции, которые позволяют оптимальным образом подстроить требуемую амплитудно-частотную или импульсную характеристику при заданном уровне шумов. Кроме того, такие цепи обеспечивают устойчивый режим работы каскадов усилителя. [12]

Конструкция гибридной микросхемы в большинстве случаев предполагает наличие диэлектрической подложки, на которой размещаются пленочные пассивные и навесные активные и пассивные компоненты. [13]

Усилитель мощности в гибридном исполнении. [14]

Монтаж гибридных микросхем СВЧ включает монтаж компонентов и монтаж перемычек компонентов. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5