Гибридная микросхема

Cтраница 3

Пленочные конденсаторы гибридных микросхем изготовляют в большинстве случаев вакуумным напылением. В пленочных конденсаторах больше двух обкладок применять не рекомендуется, так как большое число обкладок затрудняет процесс их изготовления и удорожает стоимость. [31]

При проектировании гибридных микросхем определяют положение, размеры и формы пленочных элементов, межсоединений и контактных площадок, типы активных элементов и способы их присоединения, методы герметизации и сборки микросхемы. Основной целью проектирования является выполнение электрических и физико-механических требований, предъявляемых к микросхемам при минимальных материальных затратах. [32]

При проектировании гибридных микросхем стремятся уменьшить число сварных соединений, исключить перекрещивания проволочных перемычек, использовать такие методы изготовления элементов, которые обеспечивали бы выполнение заданных характеристик микросхемы при минимальных затратах и стоимости. [33]

Условным каскадам гибридной микросхемы считается один полупроводниковый навесной элемент совместно оо средним числом связанных с ним пассивных элементов. Введение понятия услов-ного жаюкада позволяет при определении размера выборки для испытаний учитывать сложность микросхем. [34]

Технология изготовления гибридных микросхем СВЧ отличается от технологии изготовления низкочастотных гибридных микросхем существенно более жесткими требованиями к свойствам исходных материалов, методам изготовления, контроля. Вызвано это тем, что конструктивно-технологические погрешности, возникающие в процессе изготовления микросхем, оказывают существенное влияние на их хдрактеристики. [35]

Зависимость отношения экспериментально определенных потерь аэко к теоретически рассчитанным ат от частоты. [36]

Характерная особенность гибридных микросхем СВЧ заключается в том, что подложка является элементом МПЛ и, следовательно, влияет на ее параметры. [37]

Обеспечение надежности многокристальных гибридных микросхем затрудняется наличием большого числа соединений между отдельными кристаллами, повреждения которых могут вызвать отказ схемы. С целью повышения надежности разработчики идут по пути усложнения схем, размещающихся на отдельных кристаллах, уменьшения числа кристаллов, а также числа соединительных перемычек за счет использования соединений, наносимых на керамическую подложку методом испарения в вакууме. [38]

Схема монтажа элементов с шариковыми выводами в гибридных микросхемах. [39]

Основными элементами толстопленочной гибридной микросхемы являются подложка, пленочные резисторы, конденсаторы, соединительные проводники и корпус. [40]

В разработке гибридных микросхем диапазона СВЧ с использованием навесных активных элементов, в том числе в виде бескорпусных кристаллов, достигнуты весьма высокие результаты. Однако несмотря на это в последние годы ведутся интенсивные разработки арсенид-галлиевых микросхем диапазона СВЧ. Это направление электроники отличается тем, что все компоненты микросхем и согласующие цепи формируются на поверхности и в объеме полупроводникового кристалла в едином технологическом цикле с помощью интегральной технологии. Повышенный интерес к полупроводниковым микросхемам СВЧ обусловлен такими их достоинствами, как минимальные размеры и масса, более высокая надежность, чем гибридных микросхем, хорошие характеристики СВЧ микросхем при минимальной материалоемкости, трудоемкости и стоимости в условиях массового производства. [41]

Применяют также термин гибридная микросхема в случае, когда тонкопленочная схема содержит навесные элементы. [42]

Регенеративный оптрон.| Характеристики некоторых отечественных оптопар. [43]

Оптоэлектронные микросхемы представляют собой гибридные микросхемы, содержащие кроме бескорпусных оптопар еще и бескорпусные согласующие компоненты или интегральные схемы, подключаемые, как правило, к фотоприемнику оптопары. Конструктивно схема оформляется в унифицированных корпусах микросхем. [44]

Размеры контактной площадки для внешних выводов. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5