Гибридная микросхема

Cтраница 2

В гибридных микросхемах сочетаются бескорпусные полупроводниковые приборы ( диоды и транзисторы), пленочные пассивные элементы ( резисторы, конденсаторы) и проводящие соединения. Пленочную часть схемы наносят напылением в вакууме или другими методами на подложку из стекла или керамики; на эту же подложку наклеивают бескорпусные полупроводниковые приборы, присоединяемые с помощью выводов к пленочной части. [16]

Проволочный монтаж [ IMAGE ] Конструкция. [17]

В гибридных микросхемах наряду с изготовлением конденсаторов непосредственно в схеме в случае необходимости используют дискретные пластинчатые микроконденсаторы. Конфигурация пластинчатых конденсаторов дает возможность легко припаивать или приваривать их к гибридным микросхемам. [18]

В гибридных микросхемах используются как простые, так и сложные компоненты например бескорпусные кристаллы полупроводниковых микросхем. Электрические связи между элементами, вдмпонента - u v г, РИ ТаЛЛаМИ осуществляют с помощью пленочных и проволоч - 11Пр, ОДНИ К. [19]

В гибридных микросхемах широко распространены пленочные резисторы с сопротивлениями от нескольких ом до единиц мегаом. Если требуется высокая плотность резисторов на подложке, применяют тонкопленочную технологию, если же необходима низкая стоимость микросхем, а плотность элементов не столь существенна - толстопленочную. [20]

В гибридных микросхемах совместно используются и полевые, и биполярные транзисторы, что позволяет создавать схемы с улучшенными свойствами. Полевые транзисторы применяют в схемах усилителей, генераторов, переключателей. [21]

Плата гибридной микросхемы. [22]

Выпускаемые промышленностью гибридные микросхемы во многих случаях значительно сложнее, число их элементов может достигать нескольких сотен. [23]

Включение интегральной микросхемы К2ЖА243 в цепь АРУ. [24]

Широко распространены гибридные микросхемы, которые состоят из основания с пленкой, несущей пассивные элементы схемы ( резисторы и конденсаторы) и покрытой защитным слоем, и навесные активные элементы - дискретные бескорпусные транзисторы, а также индуктивности. Бескорпусные навесные микротранзисторы более совершенны, чем транзисторы, нанесенные на основание. Они изготовляются с частотным диапазоном до сотен мегагерц и мощностью до десятков милливатт. [25]

Транзисторы для гибридных микросхем изготавливают отдельно, в целях экономии объема в бескорпусном оформлении, иногда в виде сборки. Их параметры имеют примерно те же численные значения, что и у дискретных аналогов. Бескорпусные транзисторы защищают от воздействий внешней среды специальным влагостойким покрытием. [26]

Процесс изготовления гибридных микросхем начинается с изготовления шаблонов, масок ( или трафаретов), обработки подложек и последующего формирования слоев и элементов микросхем. Указанные этапы проводятся независимо один от другого и представляют в совокупности многооперационные технологические процессы. Причем первые три являются общими как для толстопленочной, так и для тонкопленочной технологии. Рассмотрим их несколько подробнее. [27]

Плата гибридной микросхемы. [28]

Транзисторы для гибридных микросхем изготавливают отдельно, поэтому их называют не элементами, а компонентами микросхемы. Их параметры имеют примерно те же значения, что и обычных транзисторов. Защита бескорпусных компонентов от воздействия внешней среды осуществляется с помощью специального влагостойкого покрытия. [29]

Общий вид тонко. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5