Гибридная микросхема

Cтраница 4

Типовая конструкция платы гибридной микросхемы изображена на рис. 10.13, а ее размеры выбираются из табл. 10.26. Размеры плат микросхем образуются делением сторон подложки ( заготовки) или той ее части, которая остается за вычетом обрезаемых технологических полей. [46]

Низкоомные пленочные резисторы гибридных микросхем ( от 0 01 Ом до 10 кОм) получают из чистого хрома, тантала или нихрома, нанося эти материалы в виде тонких пленок на изоляционную подложку. Для получения высокоомных пленочных резисторов используют оксидные пленки, например из окиси олова. [47]

Низкоомные пленочные резисторы гибридных микросхем ( сопротивлением от 0 01 Ом до 10 кОм) получают из чистого хрома, тантала или нихрома, нанося эти материалы в виде тонких пленок на электрическую подложку. Для получения высокоомных пленочных резисторов используют оксидные пленки, например из оксида олова. Так как эти пленки обычно относятся к материалам с электропроводностью - типа ( из-за присутствия кислородных вакансий), то добавка сурьмы снижает, а добавка индия повышает удельное сопротивление. [48]

Применяется для герметизации гибридных микросхем и полупроводниковых приборов, работающих в интервале температур от - 60 до 125 С. [49]

Общий вид платы гибридной микросхемы показан на рис. 1.14 а. [50]

Одним из видов гибридной микросхемы является многокристальная микросхема. [51]

Одним из видов гибридной микросхемы является многокристальная микросхема. [52]

Контактные площадки подложек гибридных микросхем соединяются с выводами корпуса проволочными проводниками. Для тонкопленочных микросхем эти соединения выполняются термокомпрессией ( так же, как для полупроводниковых микросхем), а для толстопленочных - - пайкой. [53]

Структура пленочного конденсатора гибридной микросхемы и его вид сверху показаны на рис. 6.8, а, б соответственно, где / - подложка, 2 к 4 - металлические обкладки, 3 - диэлектрический слой. Близкие параметры обеспечивают боро - и алюмоси-ликатные стекла, наносимые тем же методом. Однако для его нанесения необходим более сложный метод реактивного распыления. В качестве обкладок конденсаторов с указанными диэлектриками используют пленки алюминия. [54]

Однако практическая реализация гибридных микросхем по тонкопленочной технологии самым тесным образом связана с выбором материалов для тонкопленочных элементов схем, подложек и проводников, а также зависит от выбранных типов выводов и методов герметизации. [55]

Схема ( а и технологическое выполнение ( б оптрон. [56]

Оптоэлектронный переключатель представляет гибридную микросхему, содержащую оптоэлектронную пару и усилитель. В переключателе используются высокоэффективные светодиоды на основе арсенида галлия, легированного кремнием, и быстродействующие кремниевые р-г-м-фотодиоды. [57]

Схема ( а и технологическое выполнение ( б оптронной. [58]

Оптоэлектронный переключатель представляет собой гибридную микросхему, содержащую оптоэлектронную пару и усилитель. В переключателе используются высокоэффективные светодиоды на основе арсенида галлия, легированного кремнием, и быстродействующие кремниевые p - i - n - фотодиоды. [59]

Принцип устройства оптопары.| Оптопары с открытым оптическим каналом. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5