Накопление - носитель
Cтраница 1
Накопление носителей в базе паразитного транзистора ( в период насыщения) влияет также на продолжительность стадии формирования среза. Когда ключ запирается, требуется некоторое время для рассасывания оставшихся избыточных носителей из базы как рабочего, так и паразитного транзистора. [1]
Накопление носителей тока снижает предельные частоты, на которых могут работать переключающие схемы на транзисторах. [2]
 |
Возможные варианты использования электронно-дырочных перекодов транзисторной структуры в качестве диода ( а и их эквивалентные. [3] |
Возможность накопления носителей заряда в коллекторной области исключена шунтированием коллекторного перехода. Время переключения может быть около 1 не. [4]
Постоянная времени накопления носителей tH близка по величине к среднему времени жизни носителей TI в инверсном включении. Под инверсным понимается такое включение, когда коллектор играет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора. [5]
В результате накопления носителей образуется заряд Q, который при каждом переключении диода из закрытого состояния в открытое, или наоборот, соответственно накапливается или рассасывается. Этим и объясняются инерционные свойства полупроводникового диода. [6]
Проникающая радиация вызывает накопление носителей зарядов в диэлектриках в результате захвата заряженных частиц, пришедших извне ( электронов, ионов), и образования заряженных частиц в период облучения, например при 7-облучении. [7]
Проникающая радиация вызывает накопление носителей зарядов в диэлектриках в результате захвата заряженных частиц, пришедших извне ( электронов, ионов), и образования заряженных частиц в период облучения. [8]
Тэн - постоянная времени накопления носителей у эмиттерного перехода; § эСэо / / эт - коэффициент пропорциональности; Qao - заряд неосновных носителей у эмигтерного перехода в равновесном состоянии. [9]
Ток абсорбции приводит к накоплению носителей заряда в определенных местах диэлектрика - дефектах решетки, границах раздела, неоднородностях. Вследствие появления объемных зарядов распределение напряженности поля в диэлектрике становится неоднородным. Накопление в диэлектрике объемных зарядов приводит и к такому нежелательному явлению, как неполный разряд конденсатора при коротком замыкании его обкладок, характеризуемый коэффициентом абсорбции, равным отношению остаточного напряжения к начальному. [10]
 |
Переходные характеристики тиристора при включении на активную нагрузку с учетом этапа установления сопротивления базы. [11] |
Длительность этого этапа определяется накоплением носителей - модуляцией проводимости базовых областей. Переходный процесс на этом этапе характеризуется падением напряжения на тиристоре от значения UP в момент изменения полярности на коллекторном ( центральном) переходе до установившегося значения по мере накопления носителей в базах. [12]
 |
Эквивалентная схема для определения времени задержки ts. [13] |
Тэгн - постоянная, времени накопления носителей в области базы у г - го эмиттерного перехода. [14]
B tn tpac - Время накопления носителей в базе зависит от длительности входного импульса ги. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5