Cтраница 5
Переходные процессы в транзисторе связаны, в первую очередь, с диффуз. Как следствие этого происходит накопление носителей заряда в объеме базы. Кроме того, изменение напряжений на переходах в процессе переключения связано с необходимостью перезарядки барьерных емкостей. [61]
Неосновные носители ( дырки в полупроводнике л-типа и электроны в р-полупроводнике) диффундируют в область п-р-перехода, втягиваются в него и образуют пространственный заряд по другую сторону перехода. Таким образом, происходит накопление носителей тока разных знаков в двух противоположных частях полупроводника. Однако этот процесс не может продолжаться сколь угодно долго, так как в результате накопления зарядов возникает электрическое поле, препятствующее дальнейшим переходам. Таким образом, наступает динамическое равновесие между переходами электронов ( дырок) в одну и другую сторону. В результате образуется постоянная разность потенциалов ( фото-э. [62]
Для слоя двуокиси кремния толщиной 1 5 мкм напряжение пробоя составляет около 150 В, но на практике оно по ряду причин может быть значительно меньше. Одной из таких причин является накопление носителей тока в области раздела фаз над каналом. [63]