Накопление - носитель
Cтраница 2
После насыщения транзистора начинается стадия накопления носителей заряда в базе. [16]
Известно несколько способов уменьшения эффекта накопления носителей заряда. [17]
 |
Последовательность подготовки носителей информации. [18] |
На четвертом этапе осуществляется хранение и накопление носителей с отконтролированнымн данными; происходит упорядочение массивов перфокарт с помощью специальных машин, а в случае необходимости выполняется перезапись данных с одних носителей на другие. [19]
Емкости электронно-дырочных переходов и влияние эффекта накопления носителей для триодов оцениваются так же, как в случае приборов с одним переходом. [20]
Диффузионная емкость перехода CD учитывает эффект накопления носителей в базе. Она зависит от величины прямого тока. [21]
 |
Устройство р-я-переходов точечных ( а, сплавных ( б, диффузионных ( в диодов. [22] |
Инерционность запирания диода связана с эффектом накопления носителей заряда, который заключается в следующем. При протекании через диод прямого тока через р - n - переход осуществляется инжекция носителей и образуется избыточная концентрация неосновных носителей, возрастающая с увеличением прямого тока. При переключении напряжения на обратное эти неосновные носители в первый момент увеличивают обратный ток и способствуют снижению обратного сопротивления. Постепенно концентрация неосновных носителей уменьшается за счет рекомбинации и ухода через р - n - переход. После окончания рекомбинации обратное сопротивление и ток восстанавливаются до стационарных значений. Кроме того, на инерционность диода в импульсном режиме оказывает влияние барьерная емкость, уменьшение которой может быть достигнуто уменьшением площади р - я-перехода. [23]
Рекомендуется использовать быстродействующие транзисторы, характеризующиеся минимальным накоплением носителей. Следует избегать применения дискретных емкостей, за исключением необходимых для стабилизации компаратора. Минимальный коэффициент усиления тоже улучшает время восстановления после перегрузки. Конечно, он должен быть достаточно высоким, чтобы удовлетворять уравнению (3.65) при всех рабочих режимах. [24]
 |
МНОП ТЭ. а схематичное изображение. б гистерезисная характеристика. [25] |
В основе работы МНОП ТЭ лежат процессы накопления носителей заряда вблизи границы между нитридным и оксидным слоями. Локализация и соответственно накопление носителей заряда происходят в слое нитрида кремния. Накопленный заряд индуцирует на поверхности подложки заряд противоположного знака, в результате чего изменяется пороговое напряжение. [26]
 |
Вольт-амперные ( линеаризованные характеристики тиристора при различных токах управления. [27] |
Очевидно, что при этих условиях длительность процессов накопления носителей в смежных с рабочим p - n - переходом областях ль р2 ( рис. 1 - 23 а) может быть существенно понижена. [28]
Емкости в эквивалентной схеме одномерной теоретической модели отражают только накопление носителей в базе. [29]
Емкости в эквивалентной схеме одномерной теоретической модели отражают только накопление носителей заряда в базе. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5