Накопление - носитель
Cтраница 3
При стационарном токе нигде в проводнике не должно происходить накопления носителей заряда. Поэтому такой ток может существовать только в замкнутой электрической цепи, где возможно непрерывное движение зарядов в одном направлении. [31]
Емкости в эквивалентной схеме одномерной теоретической модели отражают только накопление носителей заряда в базе. [32]
 |
Линия задержки. [33] |
Принцип действия полупроводниковой линии задержки основан на задержке и накоплении носителей вследствие конечного значения скорости дрейфа неосновных носителей. [34]
 |
Че-шрехстабнлышй гоко - чем для вк - чения второго тир и-вый переключатель стора. [35] |
Принцип действия полупроводниковой линии задержки основан на задержке и накоплении носителей заряда вследствие конечного значения скорости дрейфа неосновных носителей. [36]
 |
Схема снятия основных характеристик тиристора.| Статическая вольтамперная характеристика тиристора. [37] |
При работе тиристора возникают опасные перенапряжения, связанные с эффектом накопления носителей тока в тиристоре. Одним из методов ограничения этих перенапряжений является включение цепочки RC параллельно тиристору. Устройства с тиристорами должны также защищаться от коммутационных перенапряжений, возникающих со стороны постоянного тока. [38]
 |
Переходный процесс. [39] |
Следовательно, уменьшается погрешность в определении токов, связанных с процессами рекомбинации и накопления носителей. Если сравнить кривые для те 10 и п 40, то можно заметить, что увеличение числа секций свыше 10 не приводит в данном случае к заметным уточнениям. [40]
Детекторные диоды предназначены для детектирования СВЧ-сигналов и отличаются почти полным отсутствием инжекции и накопления носителей заряда и, как следствие, крайне малой инерционностью. [41]
На работу транзистора при малом переменном сигнале помимо стационарных потоков носителей заряда влияют также процессы накопления носителей, имеющиеся в транзисторе емкости, а также конечная скорость движения носителей. Свойства транзистора при работе на малом переменном сигнале описываются системами малосигнальных параметров. [42]
На работу транзистора при малом неременном сигнале помимо стационарных потоков носителей заряда влияют также процессы накопления носителей, имеющиеся в транзисторе емкости, а также конечная скорость движения носителей. Свойства транзистора при работе на малом переменном сигнале описываются системами малосигнальных параметров. [43]
На работу транзистора при малом переменном сигнале, помимо стационарных потоков носителей, влияют также процессы накопления носителей, имеющиеся в транзисторе емкости, ai также конечная скорость движения носителей. Свойства транзистора при работе на малом переменном сигнале описываются системами малосигнальных параметров. [44]
 |
Зависимость BN от тока коллектора в области насыщения для триода типа П402. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5