Накопление - носитель
Cтраница 4
У дрейфовых триодов, наряду с поверхностной рекомбинацией, существенную роль играет электрическое поле, возникающее в базе из-за накопления носителей вблизи коллекторного пере-хода. Это поле в отличие от собственного поля п р е п я т-ствует движению неосновных носителей. [46]
Время переключения порядка 3 / ипр, определенное Мол-лом, может быть получено на практике, если пренебречь влиянием накопления носителей. [47]
Так как полевой транзистор является прибором, в котором рабочий ток переносится основными носителями заряда, то в нем не происходит накопления носителей при работе в переключающих схемах. Скорость переключения полностью определяется временной константой С-цепочки затвора. [48]
Поэтому на осциллограммах анодного тока тиристора должны четко просматриваться все три участка ( рис. 1 - 27), отвечающие процессам накопления носителей, формирования начального тока и его нарасталия до установившихся значений. [49]
 |
Зависимость коэффициента усиления тока электронного луча от напряжения смещения. [50] |
На рис. 18 изображена зависимость коэффициента усиления тока электронного луча от напряжения смещения при разных плотностях тока луча ( без учета влияния накопления носителей в прикатодной области на эффективную ширину обедненного слоя. Представляет интерес зависимость коэффициента усиления от плотности тока электронного луча при неизменном напряжении обратного смещения на структуре. В этом случае при низких плотностях тока электронного луча коэффициент усиления постоянен и не зависит от плотности тока, так как все генерированные носители участвуют в дрейфе через обедненный слой. [51]
Если электрическое поле приложить к гетерогенному диэлектрику, состоящему из двух или более отдельных фаз, каждая из которых характеризуется собственными диэлектрической проницаемостью и проводимостью, то будет наблюдаться тенденция к накоплению носителей заряда на межфазных границах, причем каждая фаза внесет значительный вклад в общую поляризацию системы. [52]
Для реализации условия AQft О следует просто использовать достаточно быстро меняющуюся подсветку, бороться же с влиянием быстрых состояний труднее - нужно либо уменьшать их плотность, либо проводить такие обработки, чтобы на поверхности доминировало влияние центров быстрой рекомбинации, на которых, как известно, нет существенного накопления носителей. [54]
 |
Эквивалентная схема полупроводникового диода.| Эквивалентная схема полупроводникового диода для СВЧ диапазона. [55] |
Простейшая из них ( рис. 2 - 18), кроме нелинейной проводимости запорного слоя 8, учитывает емкость, шунтирующую этот слой С, и сопротивление объема полупроводника г. Элемент С в общем случае включает в себя барьерную емкость, зависящую от приложенного к диоду напряжения, и диффузионную, характеризующую накопление носителей в объеме полупроводника и зависящую, таким образом, от прямого тока, протекающего через диод. Диффузионная емкость зависит от частоты тока, причем с повышением частоты убывает, стремясь к нулю. Сопротивление объема полупроводника г зависит от концентрации носителей в полупроводнике и при больших токах через диод уменьшается. Точный учет всех этих зависимостей достаточно сложен и на практике часто считают элементы Сиг линейными, приписывая им средние за период рабочей частоты значения. [56]
В основе работы МНОП ТЭ лежат процессы накопления носителей заряда вблизи границы между нитридным и оксидным слоями. Локализация и соответственно накопление носителей заряда происходят в слое нитрида кремния. Накопленный заряд индуцирует на поверхности подложки заряд противоположного знака, в результате чего изменяется пороговое напряжение. [57]
Далее начинается формирование плоской вершины импульса. На этом этапе происходит накопление носителей в базе, но затем, по мере уменьшения тока базы, накопление прекращается и начинается рассасывание избыточных носителей. Наконец, в момент времени tt транзистор выходит из области насыщения, восстанавливаются его усилительные свойства и начинается формирование среза импульса. К этому моменту укорачивающий конденсатор успевает зарядиться настолько, что напряжение на нем почти полностью компенсирует действие входного сигнала. При этом величина тока в основном определяется напряжением источника смещения, которое стремится запереть транзистор. Таким образом, длительность выходного импульса практически определяется продолжительностью нахождения транзистора в области насыщения. Это время рассчитывается из уравнения для заряда избыточных носителей в базе, накопленных непосредственно у коллекторного перехода. [58]
Величина TOT весьма мала - для идеально дрейфового транзистора она в 2 3 раза меньше ъа. В реальных транзисторах из-за накопления носителей в теле коллектора ( исключая транзисторы с эпитаксиальным коллектором, накоплением носителей в коллекторной области которых можно пренебречь) постоянная времени отсечки несколько увеличивается. [59]
Переходные процессы в транзисторе связаны, в первую очередь, с диффуз. Как следствие этого происходит накопление носителей заряда в объеме базы. Переход из одного стационарного состояния в другое означает изменение величины заряда, накопленного в области базы, и поэтому не может произойти мгновенно ( рис. 1), Кроме того, изменение напряжений на переходах в процессе переключения связано с необходимостью перезарядки барьерных емкостей. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5