Избыточный носитель - заряд
Cтраница 1
Избыточные носители заряда, разогреваемые полем перехода, переходят затем в состояние равновесия с носителями, находящимися по другую сторону обедненного слоя. [2]
Обычно избыточные носители заряда возникают в ограниченной ( локальной) области полупроводника, из которой они распространяются в остальной объем кристалла. [3]
 |
Генерация и рекомбинация носителей заряда в слое полупроводника. [4] |
Процесс рекомбинации избыточных носителей заряда описывается в рамках теории Шокли-Рида. Скорость объемной рекомбинации можно выразить приближенно через эффективное время жизни т неосновных носителей заряда, которое не зависит от их концентрации и координаты рассматриваемой точки объема полупроводника. [5]
 |
Энергетические зоны около реальной поверхности полупроводника. [6] |
При генерации избыточных носителей заряда получается расположение квазиуровней Ферми, показанное на рис. 2.4. Так как величина тока носителей, текущих к поверхности для рекомбинации, обычно не очень велика, можно без особой ошибки рисовать квазиуровни Ферми горизонтальными. [7]
Закон распределения избыточных носителей заряда Дп ( также и Др) по глубине фоторезистора обусловлен несколькими механизмами: световой генерацией носителей, их диффузией, объемной и поверхностной рекомбинацией. [8]
 |
Рекомбинация электронно-дырочной пары. / - равновесный свободный электрон, 2 - избыточный свободный электрон, 3 - зона проводимости, 4 - донорный уровень, 5 - валентная зона. [9] |
Уменьшение начальной концентрации избыточных носителей заряда Апнач ( после отключения источника их генерации, например облучения) происходит по экспоненциальному закону: An ( t) Дл, ехр ( - f / r), т.е. за интервал времени г концентрация избыточных носителей уменьшается в е 2 718 раз. Некоторые примеси ( золото, платина, медь и др.) создают локальные энергетические уровни в середине запрещенной зоны, называемые ловушками ( рис. 7, б), значительно ускоряющие процесс рекомбинации и уменьшающие время жизни. Легирование золотом используют для уменьшения времени жизни в кремнии. [10]
У поверхпости полупроводника происходит рекомбинация избыточных носителей заряда. [11]
 |
Зависимость тока управления тиристором от длительности импульса управления. [12] |
Процесс выключения тиристора связан с исчезновением избыточных носителей заряда вследствие их рекомбинации и ухода носителей заряда через р - n - переход. Время выключения тиристора / выкл определяется как время, протекающее от момента, когда прямой ток через тиристор, снижаясь, достигает своего нулевого значения, до момента, когда тиристор способен выдержать прикладываемое в прямом направлении напряжение определенной амплитуды. [13]
Существование процесса рекомбинации запасаемых в базе избыточных носителей заряда приводит к уменьшению коэффициента усиления при работе с длительными импульсами прямого тока. [14]
Выражение (2.35) определяет закон убывания концентрации избыточных носителей заряда вдоль полупроводника в стационарных условиях. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5