Cтраница 5
В германии и кремнии, при нормальных условиях при комнатной температуре, средняя длина свободного пробега порядка 1СИ см, а диффузионные длины обычно не меньше чем КИ см, даже в кристаллах с самым коротким временем жизни избыточных носителей заряда. В этих материалах условие (13.24.4) практически всегда удовлетворяется, хотя в других полупроводниках, особенно с малым временем жизни избыточных носителей, это условие может и не выполняться. [61]
Быстродействие насыщенного триггера увеличится в этом случае в значительно меньшей степени - приблизительно на 30 %, так как предельная частота переключений насыщенного триггера зависит не только от постоянной времени коллекторной цепи, но и от времени рассасывания избыточных носителей заряда в области базы. [62]
В германии и кремнии, при нормальных условиях при комнатной температуре, средняя длина свободного пробега порядка 10 - 5 см, а диффузионные длины обычно не меньше чем 10 3 см, даже в кристаллах с самым коротким временем жизни избыточных носителей заряда. В этих материалах условие ( 13 24.4) практически всегда удовлетворяется, хотя в других полупроводниках, особенно с малым временем жизни избыточных носителей, это условие может и не выполняться. [63]
В заключение необходимо указать еще на одну область применения фотоэлементов с р - - переходом. Избыточные носители заряда в фотоэлементе могут возбуждаться не только светом, но и быстрыми электронами, ос-частицами и 7 - лУчами - Поэтому он может быть использован в качестве индикатора радиоактивного излучения, а также для непосредственного превращения энергии радиоактивного распада в электрическую энергию. [64]