Избыточный носитель - заряд
Cтраница 3
Процесс переключения транзистора обладает инерционностью, связанной с конечными скоростями накопления избыточных носителей заряда в базе при включении и рассасывания их при выключении. [31]
Для элементарного акта такого процесса скорость генерации не должна зависеть от концентрации избыточных носителей заряда, а скорость рекомбинации пропорциональна ( в невырожденном полупроводнике) произведению пр. Таким образом, здесь имеем условия, аналогичные тем, которые рассматривались и при излучательной рекомбинации. [32]
При внутреннем фотоэффекте первичным процессом является световая инжекция ( оптическая генерация) избыточных носителей заряда. Образование неравновесных носителей заряда здесь происходит при поглощении энергии фотонов. [33]
 |
Температур - ная зависимость. [34] |
Односторонняя инжекция, характерная для гетеропереходов, ведет к тому, что все избыточные носители заряда сосредоточиваются в активной средней области, их проникновение в эмиттер ничтожно мало. [35]
Односторонняя инжекция, характерная для гетеропереходов, ведет к тому, что все избыточные носители зарядов сосредоточиваются в активной средней области, их проникновение в эмиттер ничтожно мало. [36]
Рассмотрим в отношении быстродействия схему, в которой отсутствует задержка, вызываемая рассасыванием избыточных носителей заряда. [37]
Из-за того что выключающий ток управления должен одинаково эффективно воздействовать на накопленные в базах избыточные носители заряда по всей площади р - п - р - га-структуры, конструкция эмиттерного перехода, через который осуществляется управление, должна быть такой, чтобы сопротивление базы в направлении протекания тока управления было минимальным. Следовательно, размер эмиттера вдоль тока управления желательно иметь по возможности минимальным, а степень легирования р-базы - максимальной. [38]
Характерной особенностью рассмотренных выше явлений ударной ионизации и межзонного туннелирования является резкая зависимость концентрации избыточных носителей заряда от напряженности электрического поля. В туннельных и лавинно-пролет-ных диодах эти носители выводятся из полупроводника приложенным полем и дают приращение тока во внешней цепи. В системах же МДП с достаточно толстым диэлектриком сквозной ток заблокирован большим сопротивлением диэлектрика, а генерируемые неосновные носители заряда подводятся к поверхности и, оставаясь в ОПЗ полупроводника, экранируют приложенное внешнее поле. В результате напряженность электрического поля в ОПЗ Ss не может превысить некоторую критическую величину SKp, соответствующую началу включения упомянутых выше полевых генерационных механизмов. [39]
Поскольку величина электростатического потенциала неодинакова по всей толщине слоя пространственного заряда, то концентрации избыточных носителей заряда - электронов и дырок - не равны между собой. Следовательно, скорости поверхностной рекомбинации для электронов и дырок различны. [40]
 |
Типы F - ( а и V-центров ( 6. [41] |
Все они основываются на том факте, что в образце, освещаемом светом, генерируются избыточные носители заряда. [42]
При оценке Jsc в Cu S-CdS солнечных элементах сделано предположение о том, что все избыточные носители заряда, рожденные в местах, расстояние от которых до цилиндрической межкристаллитной границы меньше, чем до р-и-перехода, не дают вклада в Jsc [ Rothwarf. [43]
Поглощение фотонов в активном, поглощающем слое солнечных элементов сопровождается образованием электронно-дырочных пар и появлением избыточных носителей заряда. Процессы диффузии, а также объемной и поверхностной рекомбинации носителей способствуют возвращению системы зона проводимости - валентная зона в равновесное состояние, характерное для условий отсутствия освещения и сохранения электронейтральности. В эффективных солнечных элементах основная доля этих избыточных носителей заряда должна диффундировать к области перехода, где происходит их разделение электрическим полем. Уравнение переноса устанавливает взаимосвязь между процессами генерации, рекомбинации, диффузии и дрейфа ( под действием электрического поля) фотогенерированных носителей. Его решение позволяет получить математическое выражение для полного фототока в солнечном элементе. [44]
 |
Распределения неравновесных носителей в базах структуры. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5