Избыточный носитель - заряд
Cтраница 4
Из-за того что плотность тока управления у края эмиттерного перехода максимальна, в этой части р-базы избыточные носители заряда исчезнут раньше, чем в глубине. [46]
По истечении собственного времени задержки ток через структуру начинает экспоненциально нарастать, а в базовых слоях продолжают накапливаться избыточные носители заряда. После того, как в базах, накопится критический заряд [69] и начинается регенеративный процесс включения, для его продолжения уже не требуется протекания включающего базового тока. [47]
Причиной излучательной рекомбинации, или люминесценции в стеклообразных, как и в кристаллических, полупроводниках является возникновение в материале избыточных носителей заряда. Обычно они образуются за счет возбуждения светом, в этом случае излу-чательная рекомбинация называется фотолюминесценцией. [48]
 |
BAX симметричного тиристора.| Схема устройства симметричного тиристора.| Сплавно -, диффузионная тири - f - сторная структура. L. [49] |
Выключение симметричного тиристора производится путем снижения тока до значения, меньшего / выкл на время Твыкл, достаточное для рекомбинации избыточных носителей заряда. Вследствие шунтирования нескольких переходов для отпирания симметричных тиристоров требуется управляющий импульс большей мощности, / выкл также должна быть больше, чем у обычных тиристоров. [50]
При подаче импульса выключающего тока управления в базовый слой ( момент t0, рис. 4 - 2, а) эмиттерный переход j из-за высокой концентрации избыточных носителей заряда в р-базе в первый момент времени практически не представляет собой сопротивления. Амплитуда импульса тока / у определяется только внешним сопротивлением цепи и напряжением управления. [51]
Открытое состояние структуры характеризуется тем, что все р - гс-пере-ходы смещены в прямом направлении, ток через структуру ограничивается внешней цепью, а в базовых слоях накапливаются избыточные носители заряда. В работах [42, 70, 71] достаточно подробно рассмотрена характеристика открытой структуры. Проанализированы различные случаи: малого уровня инжекции в обеих базах, малого уровня инжекции в одной базе и высокого - в Другой базе, высокого уровня инжекции в обеих базах. Оценки показывают [41], что для р - п - р - / z - структур, которые являются основой мощных полупроводниковых приборов, условие низкого уровня инжекции в обеих базах выполняется при токах, меньших токов переключения и составляющих единицы миллиампер. [52]
 |
Пояснение температурной зависимости времени жизни. [53] |
Пусть в момент времени t 0 в полупроводнике создана избыточная концентрация Дп ( 0) ( или Ар ( 0)), которая после окончания действия источника избыточных носителей заряда должна стремиться к нулю при ( - оо. [54]
 |
Пояснение темпера ния судя ПО положению уровня Фер-турной зависимости времени м намного больше 50 %. При ЭТОМ. [55] |
Пусть в момент времени t 0 в полупроводнике создана избыточная концентрация Дп ( 0) ( или Др ( 0)), которая после окончания действия источника избыточных носителей заряда должна стремиться к нулю при - - оо. [56]
Анализ распределения энергетических потерь в солнечных элементах обычного типа показывает, что суммарные потери, связанные с избыточной энергией фотонов и энергией фотонов, не обладающих способностью вызывать появление избыточных носителей заряда, составляют более половины энергии, падающей на элемент. Помимо этого при сильной освещенности КПД преобразования энергии снижается под влиянием эффектов, наблюдающихся при высоком уровне инжекции носителей и высокой температуре. [57]
Пусть в момент времени t - 0 в полупроводнике создана избыточная концентрация Ал ( 0) ( или Ар ( 0)), которая после окончания действия источника избыточных носителей заряда должна стремиться к нулю при f - оо. [58]
Тогда понятие среднего времени жизни уже не может быть введено по определению времени, за которое избыточная концентрация спадает в е раз, так как нет экспоненциального закона релаксации концентрации избыточных носителей заряда. Введем в этом случае понятие времени жизни т, пользуясь вероятностной интерпретацией величины 1 / т как вероятности рекомбинации одного электрона в единицу времени, в единице объема. [59]
В р - п - р - n - структуре, находящейся во включенном состоянии, все р - n - переходы смещены в прямом направлении, в базовых слоях накоплены избыточные носители заряда и между процессом рекомбинации носителей и инжекцией их эмиттерны-ми переходами сохраняется динамическое равновесие. Подача импульса выключающего тока в базовый слой структуры приводит к тому, что динамическое равновесие смещается в сторону уменьшения накопленного заряда в базах. Заряд уменьшается в обеих базах: в базе, в которой течет ток управления, заряд уменьшается из-за снижения тока через примыкающий эмит-терный переход на значение тока управления, а во второй базе заряд уменьшается из-за соответствующего снижения потока носителей через коллекторный переход, что приводит к уменьшению инжекции носителей вторым эмиттерным переходом. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5