Избыточный носитель - заряд
Cтраница 2
Во включенной структуре в базовых слоях накоплены избыточные носители заряда. Их концентрация и распределение по объему структуры зависят от плотности анодного тока и от электрофизических свойств слоев. При однородных свойствах слоев по площади и при сравнительно больших плотностях тока структуры включены обычно по всей площади и ток равномерно распределен по структуре. [17]
Ланзы и Ховела; б - концентрация избыточных носителей заряда в зависимости от положения в зерне GaAs толщиной 10 мкм, она стремится к нулю на краю обедненной области перехода [ Lama. [19]
После прекращения воздействия внешнего фактора, вызывающего генерацию избыточных носителей заряда, их концентрации из-за рекомбинации быстро уменьшаются и достигают равновесных значений. [20]
 |
Характеристика видеодетекторов напряжения с прижимными контактами металл-полупроводник. [21] |
Быстродействие кристаллических диодов определяется в основном временем жизни избыточных носителей заряда, накопленных в базе диода при протекании прямого тока, которое может варьироваться в очень широких пределах. При введении в полупроводник небольшого количества примесей с глубокими уровнями ( золото, никель и др.) время жизни может быть доведено до 10 - 10 с и меньше. [22]
После прекращения воздействия внешнего фактора, вызывающего генерацию избыточных носителей заряда, их концентрации из-за рекомбинации быстро уменьшаются и достигают равновесных значений. [23]
Это обусловливается тем, что с ростом концентрации избыточных носителей заряда рекомбинационные центры насыщаются, время жизни носителей и, следовательно, коэффициент передачи тока через базу транзистора возрастает. [24]
 |
Температурная зависимость дрейфовой подвижности импульса избыточных носителей заряда в Ge - типа. [25] |
На рис. 13.21.1 приведены результаты измерений дрейфовой подвижности импульса избыточных носителей заряда в германии р-типа в зависимости от температуры. [26]
 |
Схема межзонной рекомбинации и рекомбинации через локальный уровень в запрещенной зоне. [27] |
Из (6.46) видно, что в этих условиях скорость рекомбинации избыточных носителей заряда пропорциональна их концентрации. Такую рекомбинацию называют линейной. [28]
Для того чтобы тиристор перевести в запертое состояние, концентрация избыточных носителей зарядов в базовых областях должна быть уменьшена до весьма малой величины за счет действия электрического поля и процесса рекомбинации. Это может быть достигнуто, если на определенное время уменьшить ток в тиристоре до значений, меньших удерживающего тока / уд, или изменить на обратную полярность напряжения, действующего на тиристоре. [29]
Из (2.25) видно, что Sn и Sp выражают относительную долю избыточных носителей заряда, ежесекундно рекомбинирующих в единице площади поверхности полупроводника, эти коэффициенты имеют размерность скерости и называются скоростями поверхностной рекомбинации электронов и дырок. Связь между скоростью поверхностной рекомбинации и временем жизни т в общем случае установить трудно, найдены решения этой задачи только для частных случаев. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5