Область - объемный заряд
Cтраница 1
 |
Структура тиристора, изготовленного методом диффузии. [1] |
Область объемного заряда коллекторного р - - перехода Я2 распространяется в основном в область о, поэтому ширина области о берется достаточно большой ( порядка или больше Lp) для устранения эффекта прокола базы при высоких напряжениях. [2]
 |
Распределение примесей ( а, объемных зарядов ( б, напряженности поля ( в и потенциала ( г в ступенчатом р-п-пе-реходе при термодинамическом равновесии. [3] |
Область объемного заряда образуется неподвижными ионизированными атомами примесей, не компенсируемыми зарядами подвижных носителей. [4]
 |
Схема образования четырех составляющих тока через р - п переход.| Распределение объемного заряда при различной концентрации свободных носителей в материалах р - и п-типа. [5] |
Область объемного заряда, обедненная свободными носителями, имеет увеличенное по сравнению с основным объемом полупроводника сопротивление и поэтому называется запорным слоем. [6]
 |
Схема контактного транзистора. [7] |
Область объемного заряда р - - перехода обладает емкостью. [8]
 |
Схема контактного транзистора. [9] |
Область объемного заряда р - n - перехода обладает емкостью. [10]
Область объемного заряда по толщине часто меньше диффузионной длины. Однако процессы генерации и рекомбинации носителей в этой области идут более интенсивно, чем в однородном полупроводнике. Следовательно, и составляющие тока полупроводникового диода за счет генерации и рекомбинации носителей в области объемного заряда могут быть существенными. [11]
Область объемного заряда p - n - перехода можно рассматривать как аналог диэлектрика обычного конденсатора, если считать, что она не содержит подвижных носителей заряда. [13]
Область объемного заряда у поверхности кристалла с заполненными поверхностными уровнями может играть важную роль в процессе выпрямления. Она имеет существенное значение и в случае поликристаллических материалов, у которых каждый кристалл полупроводника га-типа может быть окружен слоем объемного заряда. У небольших кристаллов толщина слоя объемного заряда может оказаться довольно большой по сравнению с размерами кристалла. [14]
 |
Концентрация примесей при ступенчатом ( а и плавном ( б. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5