Область - объемный заряд
Cтраница 5
Для характерных размеров областей объемных зарядов более 1 м величина электростатического давления будет превышать 0 001 - 0 05 МПа [47], что сопоставимо с величиной капиллярного гистерезиса, удерживающего нефтяные ганглии. [61]
Так как ширина области объемного заряда растет с увеличением р, то для получения больших значений d, а следовательно, и больших изменений d при изменении напряжения, нужно брать материал с большим удельным сопротивлением. [62]
На практике ширина области объемного заряда для полупроводника составляет единицы микрон, а для металла менее 10 - 4 мк. [63]
 |
Схемы выпрямления и схемы соединений вентилей. [64] |
Одновременно происходит расширение области объемных зарядов и увеличение напряженности электрического поля в запирающем слое, ограничивающее величину прямого тока. [65]
Так как смыкание областей объемного заряда происходит при напряжениях, меньших напряжения лавинообразования, то в этих приборах исключается дискретный характер пробоя по площади структуры, связанный с включением микроплазм в локальных участках перехода. Смыкание областей объемного заряда происходит равномерно по всей площади перехода, и в процессе рассеяния мощности, выделяющейся в переходе, участвует вся структура. [66]
Хр - границы области объемного заряда в материалах - и р-типов. [68]
Однако для сужения области объемного заряда коллекторного перехода необходимо, чтобы на границах этой области подвижные носители заряда - электроны и дырки - компенсировали соответствующие заряды неподвижных ионизированных атомов легирующих примесей. При этом положительный заряд ионизированных атомов доноров в области объемного заряда коллекторного перехода со стороны базового слоя п компенсируется электронами, а отрицательный заряд ионизированных атомов акцепторов со стороны базового слоя р % - дырками. [69]
Рь ранее охваченные областью объемного заряда хода / 1, заполняются дырками, положительный заряд которых компенсирует отрицательный заряд ионизированных атомов акцепторов. Емкостный ток перехода Д пропорционален его барьерной емкости и скорости изменения анодного напряжения. Емкостный же ток возрастает при заданной постоянной скорости изменения напряжения, так как барьерная емкость перехода j увеличивается с уменьшением обратного напряжения. Поэтому в интервале времен от t до U ток через тиристор возрастает со временем. [70]
Время пролета носителей через область объемного заряда ( шириной d) можно оценить как Tid / imax, ГДе fmax - максимальная скорость движения носителей в электрическом поле, которая при больших полях не зависит от напряженности электрического поля вследствие уменьшения подвижности в сильных полях. В германии и кремнии итах 5Х ХЮ6 см / с, d зависит от величины обратного напряжения и концентрации основных носителей в базе и обычно меньше 5 мкм. [71]
Страницы: 1 2 3 4 5