Область - объемный заряд
Cтраница 3
Введенные в область объемного заряда электроны под действием электрического поля двигаются по направлению к полупроводнику л-типа, выполняющему роль коллектора. [31]
 |
Изменение потенциального барьера перехода при приложении запирающего напряжения. [32] |
Так как область объемного заряда обеднена носителями и обладает повышенным сопротивлением, то преобладающая величина напряжения, приложенного извне, будет падать именно в этой части полупроводника. Падением напряжения в объеме полупроводника, находящегося за пределами области объемного заряда, практически можно пренебрегать. Приложенное извне напряжение суммируется с напряжением контактной разности потенциалов. [33]
Штриховкой выделена область объемного заряда электронно-дырочного перехода при смещении его в обратном направлении. Видно, что на боковой поверхности структуры толщина слоя объемного заряда р-п перехода несколько меньше его толщины в объеме структуры. Обусловлено это тем, что на поверхности структуры, как уже было отмечено в § 1.6, всегда адсорбируются положительные ионы различных металлов и образуется так называемый поверхностный заряд. Этот заряд, будучи положительным, приводит к сужению области объемного заряда перехода, как если бы п-база в приповерхностном слое была легирована донорами сильнее, чем в объеме. [34]
За пределами области объемного заряда потенциал постоянен во всех сечениях. В зоне объемного заряда происходит изменение потенциала и образование потенциального барьера АФО. [35]
Ширина этих областей объемного заряда является функцией напряжения на переходе и концентрации примеси. [36]
 |
Расширение области объемного заряда изолирующего р-п перехода ИС.| Транзистор полупроводниковой ИС со скрытым слоем. [37] |
Общая протяженность области объемного заряда достигает 2 мкм. Выход на поверхность ИС области объемного заряда защищается слоем двуокиси кремния для уменьшения вклада поверхностных токов в общий ток утечки разделительного р-п перехода. [38]
 |
Схема образования диффузионного тока, обусловленного движением, основных носителей через переход. [39] |
За пределами области объемного заряда полупроводник остается электрически нейтральным. [40]
 |
Вольт-амперная характеристика р-п-перехода при обратном смещении. [41] |
Если ширина области объемного заряда р-я-перехода d l ( длины свободного пробега), то неосновные носители заряда в электрическом поле обратносмещенного р-я-перехода могут набрать достаточную скорость для ионизации решетки с образованием пары электрон - дырка. Образовавшиеся носители заряда сами принимают участие в дальнейшей ионизации. Процесс нарастания тока носит лавинный характер. [42]
 |
Схема спесистора ( а, распределение электрического поля ( б и потенциала ( в. [43] |
Осуществим с областью объемного заряда точечный контакт э и приложим к нему положительное по отношению к плоскости бб напряжение такое, чтобы оно оставалось отрицательным по отношению области объемного заряда в области касания. Такой электрод инжектирует электроны в область пространственного заряда и выполняет роль эмиттера. Введенные в область объемного заряда электроны под действием электрического поля будут двигаться по направлению к полупроводнику п-типа, выполняющему роль коллектора. Область полупроводника р-типа играет роль базы. [44]
 |
Схема спесистора ( а. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5