Область - объемный заряд
Cтраница 4
Осуществим с областью объемного заряда точечный контакт э и приложим к нему положительное напряжение по отношению к плоскости бб, но такое, чтобы оно оставалось отрицательным по отношению области объемного заряда в месте касания. [46]
Сужение дуги в области объемного заряда оказывает влияние и на другие области дуги. Правда, в области ионизации действует напряжение Ut, которое не зависит от плотности тока. Рассмотрим, каково положение в области теплопроводности. [47]
Перераспределение потенциала в области объемного заряда при больших токах является также следствием насыщения скорости движения носителей. Действительно, из-за того что носители двигаются с конечной скоростью, их концентрация в электронно-дырочном переходе отлична от нуля, а заряд добавляется к заряду ионизированных примесей или вычитается из него. Соответственно перераспределяется и поле в переходе. [48]
Электрическое поле в области объемного заряда, образуемого в полупроводнике р-типа, создается положительно заряженными акцепторами, а в полупроводнике п-типа - отрицательно заряженными донорами. [49]
Предположим, что область объемного заряда определяется точками ( - tn, 0) и ( 0, tp) соответственно. [50]
 |
Схема спесистора ( а. [51] |
Электрическое поле в области объемного заряда, образуемого в полупроводнике р-типа, создается положительно заряженными акцепторами, а в полупроводнике п - типа - отрицательно заряженными донорами. [52]
При этом в области объемного заряда практически отсутствуют подвижные носители и она обладает значительным электрическим сопротивлением, в связи с чем эту область называют запорным или обедненным слоем. [53]
Строго говоря, область объемного заряда будет существовать и за пределами заштрихованной области, отделяя приповерхностный инверсный слой от основного объема полупроводника. Мы будем рассматривать только ту ее часть, которая увеличивает обратный ток перехода. [54]
 |
Изменение длины и конфигурации. [55] |
При меньших напряжениях область объемного заряда практически обрывается. Величина тока через канал определяется длиной диффузии неосновных носителей, скоростью их генерации ( рекомбинации) и длиной канала. [56]
Перераспределение потенциала в области объемного заряда при больших токах является также следствием насыщения скорости движения носителей. Действительно, из-за того что носители заряда движутся с конечной скоростью, их концентрация в р-и-переходе отлична от нуля, а заряд добавляется к заряду ионизированных примесей или вычитается из него. Соответственно перераспределяется и поле в переходе. [57]
Перераспределение потенциала в области объемного заряда при больших токах является также следствием насыщения скорости движения носителей. Действительно, из-за того что носители заряда движутся с конечной скоростью, их концентрация в / 7-п-переходе отлична от нуля, а заряд добавляется к заряду ионизированных примесей или вычитается из него. Соответственно перераспределяется и поле в переходе. [58]
 |
Процесс включения тиристора. [59] |
Умножение носителей в области объемного заряда коллекторного перехода в этом случае играет меньшую роль и при достаточно большом токе управления практически не влияет на процесс включения. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5