Область - объемный заряд
Cтраница 2
Области объемного заряда для несимметричного перехода имеют разную ширину. Это объясняется тем, что из условия электрической нейтральности перехода отрицательный заряд в р-области должен быть равен положительному заряду в - области. [16]
 |
Составляющие токов через переход с учетом генерации электронно-дырочных пар в области объемного заряда. [17] |
Область объемного заряда уменьшается, что приводит к уменьшению абсолютного значения тока, обусловленного генерацией в переходе. [18]
Область объемного заряда электронно-дырочного перехода в равновесном состоянии обеднена основными носителями. [19]
Области объемных зарядов р-п переходов структуры на рисунке заштрихованы. Из рис. 7.13 видно, что в области объемного заряда обратносмещенного эмиттерного перехода j генерируются электроны и дырки. [20]
Эта область объемного заряда и есть собственно р - - переход; ширина его тем больше, чем меньше концентрация примесей. Вследствие этого потенциальная энергия электрона, возрастая на протяжении всей толщины р - л-слоя, в р-области оказывается больше, чем в - области. На схеме энергетических уровней ( рис. 93, а, слева) показано, что в этом случае энергетические зоны в р и п полупроводниках вдали от р - - перехода соответственно смещаются относительно друг друга, а в области р - - перехода зоны искривляются, и возникает потенциальный барьер для основных носителей тока. [21]
Вне области объемного заряда сохраняется электрическая нейтральность. [22]
В области объемного заряда напряженность поля растет - см рис. 60 ( па этом графике изображен ход напряженности, а не потенциала. [23]
В области объемного заряда зоны энергии искривляются. Если они изгибаются кверху, то приповерхностный слой обогащается дырками, при изгибании их вниз происходит обогащение электронами. В собственном полупроводнике проводимость приповерхностных слоев увеличивается независимо от направления поля. В примесном полупроводнике проводимость приповерхностного слоя увеличивается, если внешнее поле вытягивает из объема основные носители заряда, и уменьшается, если приповерхностный слой обогащается неосновными носителями заряда. Изменение проводимости приповерхностного слоя называется эффектом поля. [24]
В области объемного заряда зоны энергии искривляются. [25]
Ширина области объемного заряда зависит от плотности зарядов в полупроводнике. Как правило, концентрация примесей в полупроводниках, образующих р-п переход, различна. Если для создания р - п перехода использован исходный материал проводимостью n - типа, концентрация акцепторов в р-области на несколько порядков больше концентрации доноров в п-области. [26]
 |
Конструкция кремниевого диода ( Д202 - Д205. [27] |
Ширина области объемного заряда кольцевой части p - n - перехода получается значительно больше ширины области объемного заряда в центральной части кристалла. [28]
Движущиеся через область объемного заряда носители могут при больших напряженностях электрического поля в переходе приобретать энергию, достаточную для ионизации атомов полупроводника. Образующиеся при этом дополнительные пары носителей заряда вызывают рост общего обратного тока через полупроводниковый диод. При сравнительно больших напряжениях это явление приводит к пробою. [29]
 |
Схема спесистора ( а. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5