Область - пространственный заряд
Cтраница 1
Области пространственного заряда могут формироваться и на переходах между полупроводником и металлом. На рис. 2.16 приведены зонные диаграммы до и после образования контакта для полупроводника и-типа и металла. При соединении металла и полупроводника электроны текут из полупроводника в металл до тех пор, пока не выровняются уровни Ферми. Область пространственного заряда п ттп л у проводнике образована оставшимися положительно заряженными ионизированными примесями. Характеристики переходов Шоттки, как правило, определяются работой выхода металла Фм. Это энергия, необходимая для перемещения электрона с верхних уровней распределения Ферми в металле на бесконечность. Характеристики перехода Шоттки определяются также работой выхода полупроводника ФБ. [1]
 |
Зонная диаграмма полупроводника при наличии поверхностного заряда.| Изменение поверхностного потенциала в случае обеднения и инверсии на поверхности. [2] |
Область пространственного заряда получается тонкой, и электростатический потенциал изменяется очень быстро. [3]
 |
Диаграмма энергетических уровней а p - n - переходе в равновесном состоянии ( к p - rt - переходу не приложено внешнее поле. [4] |
Области пространственного заряда обеднены носителями, поэтому их сопротивление намного больше любой области полупроводникового кристалла. Поэтому изменение потенциального барьера происходит на величину приложенного напряжения. [5]
Область пространственного заряда с заполненными поверхностными уровнями играет важную роль в возникновении потенциального барьера и эффекта выпрямления на границе полупроводника. [6]
 |
Зависимость зарядной емкости p - rt - перехода от величины обратного напряжения. [7] |
Область пространственного заряда электронно-дырочного перехода имеет двойной электрический слой: из положительно заряженных доноров и отрицательно заряженных акцепторов. Этот двойной электрический слой образует емкость, которую называют зарядной емкостью р-п-перехода. [8]
Поэтому область пространственного заряда не возникает. В объеме полупроводника вблизи поверхности раздела образуется слой, обогащенный электронами Ширина обогащенного слоя существенно меньше ширины области пространственного заряда. Поэтому при любом знаке внешнего приложенного напряжения не возникает энергетического барьера для тока и вольт-амперная характеристика сим-метричца. [9]
Внутри области пространственного заряда электрохимический потенциал гц любого / - того носителя заряда постоянен. [10]
Вне области пространственного заряда полупроводник нейтрален. Если в п-области имеются только атомы доноров с концентрацией ND, а в р-ебласти телько атомы акцепторов с концентрацией NA, и в роп, а р0р п0р, то можно считать, что Nо поп, & NA РОР. [11]
Поскольку область пространственного заряда обедняется свободными носителями, ее сопротивление будет выше, чем сопротивление объема полупроводника. Таким образом, на границе областей образуются два слоя противоположных по знаку зарядов. [12]
 |
Энергетические диаграммы контакта металл-электронный полупроводник. [13] |
Ширина области пространственного заряда в полупроводниках составляет единицы микрометров, а в металлах-менее 10 - 4 мкм. [14]
Толщина области пространственного заряда обычно составляет десятые доли микрона и зависит от электрической проводимости р - и и-областей. В реальных переходах удельное сопротивление областей ( а следовательно, и концентрация примесей в них) отличается на 2 - 3 порядка. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5