Область - пространственный заряд
Cтраница 3
В самом общем случае область пространственного заряда должна быть рассчитана при неравновесных условиях. [31]
 |
Зависимость величины фототока от места. [32] |
Если луч падает в область пространственного заряда перехода ( между 2 и 3), все носители участвуют в создании тока. После прохождения лучом перехода ток снова падает. Когда луч попадает на металлический напыленный электрод, фототок должен совсем исчезнуть. Однако за счет отраженного металлом света, который затем попадает на весь прибор, небольшой фототок остается. При дальнейшем движении опять происходят явления, описанные ранее. [33]
Отсутствие лавинного пробоя в области пространственного заряда ИПД означает, что этот диод обладает меньшим шумом, чем ЛПД или ПЛПД. [34]
С чем связано образование области пространственного заряда в диэлектрической пленке при прохождении через нее тока. [35]
 |
Трехслойная модель системы ДП. [36] |
В частности, расчет области пространственного заряда при малой его толщине-должен быть скорректирован с учетом изменения запрещенной зоны в названном переходном слое. В этом случае полезно воспользоваться представлениями, развитыми для гетеропереходов. В принципе необходим учет пространственного рассеяния центров при их определении из данных эффекта поля, С ( V) и других электрических измерений. [37]
 |
Энергетические зонные диаграммы перехода металл - полупроводник.| Энергетическая зонная диаграмма перехода М - П ( а, распределение объемного заряда ( б и электрического поля ( а. [38] |
ND-Поэтому такую область называют областью пространственного заряда ( ОПЗ) или обедненной областью. [39]
Выяснение роли квантовых эффектов в области пространственного заряда, которые, видимо, очень существенны в электрооптических явлениях. [40]
 |
Влияние ограничения скорости дрейфа носителей на распределение пространственного заряда в области коллекторного перехода и на положение его границ. [41] |
Пока концентрация подвижных носителей в области пространственного заряда достаточно мала, их присутствие почти не скажется на границах этой области. [42]
 |
Схема спесистора ( а. [43] |
Такой электрод инъекти-рует электроны в область пространственного заряда и выполняет роль эмиттера. [44]
Изучение изгиба энергетических зон и области пространственного заряда удобно проводить на МОП-структурах ( металл - оксид - полупроводник), представляющих собой конденсатор, одной из обкладок которого служит металлический электрод, напыленный, на поверхность окисла, другой - полупроводниковая подложка, а слой SiO2 служит диэлектриком. Емкость МОП-конденсатора зависит от полярности и величины приложенного внешнего напряжения, поскольку первоначально существующий в - системе изгиб зон может при этом увеличиваться или уменьшаться. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5