Область - пространственный заряд
Cтраница 4
 |
Распределение концентрации примесей ( а, объемного заряда ( б, электрического поля ( в и потенциала ( г в резком асиммет - О ричном р-п переходе. [46] |
Это означает, что вся область пространственного заряда сосредоточена в более высокоомной части полупроводника. [47]
Изучение изгиба энергетических зон и области пространственного заряда удобно проводить на МОП-структурах ( металл-оксид-полупроводник), представляющих собой конденсатор, одной из обкладок которого служит металлический электрод, напыленный на поверхность окисла, другой - полупроводниковая подложка, а слой SiO2 служит диэлектриком. Емкость МОП-конденсатора зависит от полярности и величины приложенного внешнего напряжения, поскольку первоначально существующий в системе изгиб зон может при этом увеличиваться или уменьшаться. [48]
Поверхностные состояния могут вызвать появление области пространственного заряда на контакте с атмоо герой. Рассмотрим полупроводник я-типа, у которого наблюдаются акцепторные поверхностные состояния. При равновесии поверхность оказывается отрицательно заряженной, если область пространственного заряда в приповерхностных участках полупроводника состоит из положительно ионизированных доноров. Положение уровня Ферми определяется числом поверхностных состояний. [49]
В этом случае толщина Ах области пространственного заряда определяется равновесными концентрациями ионов цинка в междуузлиях и электронов в зоне проводимости. Оказывается, что и в этом случае Ях зависит от р ( О. [50]
Из уравнения (8.68) следует, что область пространственного заряда распространяется в большинстве случаев в направлении, в котором концентрация примеси или удельная проводимость является наименьшей. [51]
Изменение концентраций дырок и электронов в области пространственного заряда, однозначно определяющее величину ф5, приводит к изменению проводимости приповерхностного слоя. Так, у поверхности полупроводника n - типа при qs0 скапливаются электроны ( обогащенный слой) и проводимость образца увеличивается. Одновременно в приповерхностном слое растет концентрация дырок. При этом изгиб зон оказывается столь большим, что валентная зона становится ближе к уровню Ферми, чем зона проводимости. [52]
Изменение концентраций дырок и электронов в области пространственного заряда, однозначно определяющее величину ф8, приводит к изменению проводимости приповерхностного слоя. Так, у поверхности полупроводника n - типа при ф80 скапливаются электроны ( обогащенный слой) и проводимость образца увеличивается. Одновременно в приповерхностном слое растет концентрация дырок. При этом изгиб зон оказывается столь большим, что валентная зона становится ближе к уровню Ферми, чем зона проводимости. [53]
 |
Фотодиод с p - i - n структурой.| Энергетическая диаграмма фотодиода с p - i - n структурой. [54] |
В результате излучение поглощается непосредственно в области пространственного заряда, в котором внешним смещением создано сильное электрическое поле. [55]
Дебаевская длина LD является характеристическим параметром области пространственного заряда. Как правило, LD значительно меньше, чем d; если же это не так, то простая одномерная диаграмма, иллюстрирующая область пространственного заряда, уже не будет справедливой. Это следует иметь в виду при использовании пленок для исследования поверхности. Необходимость решать двумерное уравнение Пуассона существенно осложняет задачу. Если d5LD, приходится решать двумерную задачу. [56]
 |
Изменение концентрации примесей. [57] |
В зависимости от соотношения между шириной области пространственного заряда и толщиной слоя, в котором происходит изменение концентрации и типа примесных атомов, p - n - переходы делят на резкие и плавные. [58]
Из (1.52) видно, что толщина области пространственного заряда больше там, где меньше концентрация примесных атомов. [59]
Очевидно, изолирующие области в виде областей пространственного заряда могут создаваться как с помощью р-п-перехода, так и с помощью диода Шотки. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5