Cтраница 2
Толщина области пространственного заряда в окисле около обеих поверхностей раздела при 1000 очень мала. На основании указанного выше значения л и прои использовании уравнений ( 18), ( 23) было найдено значение А х6 А при 1000 и давлении кислорода в 1 атм, между тем как у поверхности раздела металл / окисел п01 3.101 9 и 15 А при р ( О2 / 0) 6 10 7 атм. [16]
Поскольку ширина областей пространственного заряда в изолирующих канальных элементах превышает ширину областей пространственного заряда p - n - переходов, приборы, изготовленные описанным способом, обладают очень малой емкостной связью между функциональными элементами ИМС. [17]
![]() |
Обратное включение ся к НУЛЮ - Эта зависимость имеет р-п перехода экспоненциальный характер. [18] |
Поскольку сопротивление области пространственного заряда много выше, чем сопротивление материала, то все напряжение батареи оказывается приложенным к р-п переходу. [19]
![]() |
Тем свойства элементов Aii / PcZn / M нческие. [20] |
В классической модели область пространственного заряда образуется за счет ионизации примесей в полупроводнике вблизи одного из контактов. [21]
![]() |
Образование пар электроны - дырки на границе раздела полупроводник - типа / электролит при освещении. [22] |
Электрическое поле в области пространственного заряда ( диффузный двойной электрический слой) выталкивает электроны в объем полупроводника, а дырки на его поверхность. [23]
В целом вся область пространственного заряда состоит из частей 1 и 2, сверх того может быть или не быть и третья часть в зависимости от граничных условий. [24]
Общий заряд в области пространственного заряда ( как подвижного, так и связанного), очевидно, можно определить по емкости. Такие измерения достаточно сложны, потому что определяемая емкость очень велика. [25]
![]() |
Энергетическая диаграм - электронно-дырочного нема перехода при наличии значи - Ре ОДа ПО сопротивлению тельного обратного смещения. ток концентрируется в от. [26] |
Так как ширина области пространственного заряда зависит от приложенного напряжения, то у кремния, в особенности при малом его сопротивлении, насыщения обратного тока не наблюдается. [27]
Чем определяется толщина области пространственного заряда в случае образования инверсионного слоя. [28]
Чем определяется глубина области пространственного заряда в р-п переходе. [29]
![]() |
Энергетические зоны около реальной поверхности полупроводника. [30] |