Область - пространственный заряд
Cтраница 5
 |
Полевой транзистор. а - схема включения. б, в, г, ., е - размещение зарядов при разных напряжениях.| Выходные характеристики полевого транзистора. [61] |
Увеличение напряжения батареи Ес сопровождается увеличением области пространственного заряда р-п-перехода. [62]
Когда толщина образца уменьшается настолько, что область пространственного заряда перекроет образец, ток перестанет течь и травление в тонких областях прекращается, поскольку термически и оптически генерированными носителями заряда можно пренебречь. Серьезным недостатком этого метода является образование на поверхности большего количества ямок, чем в случае, когда травление проводится при наличии избытка инъектированных носителей заряда. [63]
Чем определяется величина искривления энергетических зон в области пространственного заряда. [64]
Вакуумный диод с плоскими электродами работает в области пространственного заряда вольт-амперной характеристики. Для случая Уо 0 распределение потенциала между электродами описывается соотношением И ( х) - ( x / d) nUs, где d - расстояние между электродами, х - расстояние от катода, Ua - анодное напряжение, V0 - скорость вылета электронов из катода. [65]
В настоящее время ясно, что характеристики области пространственного заряда можно получить лишь при довольно низких частотах. Изучение зависимости напряжения от емкости в этом интервале частот позволяет определить количество ионизированных легирующих примесей в обедненной области и соответствующую толщину области пространственного заряда. Это значение лежит в ожидаемой области величин для поликристаллических материалов. В работе [752] было показано, что концентрация ионизированных примесей в контактах rpa c - ( CH) W-CdS очень близка к указанной выше. Однако при определенных условиях приготовления образца могут получаться ошибочные значения а. Выше уже было показано, что пленки полнацетилена, изготовленные по методу Циглера - Натта, очень неоднородны. [66]
 |
Однопереходный триод. [67] |
Работа такого триода не связана с расширением области пространственного заряда. [68]
 |
Схематическое изображение полевого транзистора с управляющим р-п-переходом и схема его включения. [69] |
Действие этого прибора основано на зависимости толщины области пространственного заряда ( ОПЗ) р-я-перехода от приложенного к нему напряжения. Поскольку запирающий слой почти полностью лишен подвижных носителей заряда, его проводимость близка к нулю. Таким образом, в пластинке полупроводника, не охваченной запирающим слоем, образуется токопроводящий канал, сечение которого зависит от толщины ОПЗ. Если включить источник питания Ez, как показано на рис. 6.1, то через пластинку полупроводника между невыпрямляющими контактами потечет ток. Область в полупроводнике, в которой регулируется поток носителей заряда, называют проводящим каналом. [70]
Страницы: 1 2 3 4 5