Область - исток
Cтраница 1
 |
Ключевые схемы. [1] |
Области истока и стока п-канального транзистора изготовляются в основной части пластины введением допорной примеси. Остальные процессы при формировании ИС являются общими для транзисторов с каналами - типа и р-типа. [2]
 |
Схематическая конструкция ( а и принципиальная схема МДП-фотодиода ( б.| Режим накопления в фототранзисторе. [3] |
Область истока такой структуры выполняет функцию фоточувствительного элемента, а канал играет роль собственно ключа или нагрузки. [4]
При создании областей истоков и стоков ранее сформированный затвор служит маской при внедрении доноров. В результате происходит самосовмещение краев областей истока и стока с краями затвора. На топологическом чертеже ( см. рис. 4.1, б) эти края 14 практически совпадают. Самосовмещение обеспечивает минимальные емкости затвор - исток, затвор - сток и высокое быстродействие транзистора. [5]
 |
Конструкции полевых транзисторов с управляющим переходом.| Конструкции МДП транзисторов. [6] |
У этих приборов области истока 2 и стока 5 создаются диффузией примеси, изменяющей тип проводимости исходной пластинки. Эти области сильно легируют, чтобы по возможности уменьшить неуправляемые последовательные сопротивления. [7]
На расстоянии lt от снльнолегированной области истока преобладает нормальная составляющая напряженности электрического поля, созданная напряжением на затворе. [9]
 |
Стадии изготовления МДП-транзисто-ра с кремниевым затвором. [10] |
На следующем этапе одновременно легируются области истока, стока и затвор. Благодаря этому пороговое напряжение МДП-транзистора может быть снижено до 1 8 В, что расширяет области применения этих транзисторов. [11]
В данной структуре перекрытие затвором областей истока и стока имеет место на участках с достаточно толстым окислом, что не приводит к образованию заметных паразитных емкостей. Перекрытие в районе тонкого окисла мало и вызвано боковой диффузией примеси. [12]
 |
Распределение напряженности электрического поля у поверхности полупроводника под затвором при напряжении на стоке, превышающем напряжение насыщения. [13] |
На расстоянии / I от сильнолегированной области истока преобладает нормальная составляющая напряженности электрического поля, созданная напряжением на затворе. На этом участке существует инверсный слой у поверхности полупроводника. На расстоянии / 2 от сильнолегированной области стока преобладает касательная составляющая электрического поля, созданная напряжением на стоке относительно истока. [14]
 |
Распределение напряженности электрического поля у поверхности полупроводника под затвором при напряжении на стоке, превышающем напряжение насыщения. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5