Область - исток
Cтраница 3
Эти элементы схемы эквивалентны распределенным сопротивлениям и барьерным емкостям затвора относительно областей истока и стока. [31]
Структура на рис. 4.13 характеризуется относительно большими емкостями между карманом и областями истока и стока р-канального транзистора из-за высокой по сравнению с подложкой концентрацией примесей в кармане. [32]
 |
Схема полевого транзистора, используемого в качестве активного резистора. [33] |
В приборах с МДП-структурой, изготавливаемых методами планарной технологии, металл затвора перекрывает области истока - стока для компенсации неточностей совмещения при технологических операциях. Для ширины затвора 40 мкм емкость между затвором и каждым электродом составляет 0 04 пф. [34]
Теоретический анализ и эксперимент показывают, что напряжение смыкания повышается при снижении толщины областей истока и стока. Этот факт используется на практике для устранения смыкания, если оно нежелательно. [35]
Далее за один этап фотолитографии формируется кремниевый затвор и вытравливаются окна под диффузию областей истока и стока. В отличие от алюминиевого кремниевый затвор допускает высокие температуры диффузии и поэтому используется в этом процессе в качестве маски. В результате перекрытие канала затвором незначительно и определяется лишь боковой диффузией. [36]
 |
Статические характеристики полевого транзистора со встроенным каналом п-типа. [37] |
В МДП транзисторах с индуцированным каналом ( рис. 2 - 77, б) области истока и стока изготовляются так же, как в транзисторах со встроенным каналом, но область между истоком и стоком не подвергается никакой специальной обработке и сохраняет свойства исходной пластинки. Соответственно МДП транзисторы с индуцированным каналом при одинаковой геометрии и прочих характеристиках обладают большей проходной емкостью, чем со встроенным каналом. [38]
Схема структуры МОП-транзистора приведена на рис. 3.18. На кремниевой подложке р-типа диффузией примеси изготовлены области истока ( S) и стока ( D) п - типа. Исток и сток имеют одинаковый с подложкой электрический потенциал. При приложении положительного напряжения к затвору электроны из объема подложки перемещаются к границе раздела между окисным слоем и кремниевой подложкой. В приповерхностном слое подложки между истоком и стоком образуется электропроводный слой n - типа, называемый инверсным слоем. [39]
 |
Структура МОП-транзистора ( схематичное изображение.| Условное обозначение МОП-транзисторов с р-каналом ( о и п-кана-лом ( б. [40] |
На рис. 3.18 изображен МОП-транзистор, у которого на подложке р-типа сформированы п - области истока и стока, а канал образуется индуцированием электронов. [41]
Рассмотрим принцип действия полевого транзистора на упрощенной модели ( рис. 4.2), где сильнолегированные области истока и стока представлены как омические контакты. При отсутствии питающих напряжений ( рис. 4.2 0) за счет диффузии некоторого количества электронов из канала в нем образуется объемный заряд обнаженных донорных ионов, в то время как в затворе возникает объемный заряд обогащенных акцепторных ионов. При равномерном распределении объемных зарядов вдоль перехода толщина обедненного слоя в высокоомном канале будет значительно большей, чем в подложке. [42]
 |
Структуры полевых транзисторов с изолированным затвором ( с р-каналом. [43] |
В МДП-транзисторах с индуцированным каналом ( рис. 6.8, а) проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока и, следовательно, заметный ток стока появляется только при определенной полярности и при определенном значении напряжения на затворе относительно истока, которое называют пороговым напряжением ( ( / зи. [44]
Обедненные слои 5 и 6 ограничивают толщину перешейка 4, который образует канал, соединяющий области истока и стока. Канал 4 при помощи выводов Я и С включается в выходную цепь, а на управляющий р - n - переход подается обратное напряжение от батареи Ея и напряжение усиливаемого сигнала UBX. Действующее сечение канала 4, по которому проходят электроны от истока к стоку, зависит от толщины обедненного слоя управляющего р-л-перехода, так как электроны не могут проникать в этот слой. Поскольку толщина запирающего слоя, в свою очередь, зависит от напряжения на р-л-переходе, сечение открытого для электронов канала, а следовательно, и его электрическое сопротивление, управляются напряжением усиливаемого сигнала. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5