Область - исток
Cтраница 5
 |
Обозначения полевых транзисторов с каналами п - и. [61] |
При небольшом значении U проходящий от стока к истоку ток / с вызывает падение напряжения вдоль канала 4, увеличивающееся линейно от нуля в области истока до t / си в области стока. [62]
Параметр gu определяется тремя сосредоточенными резистивными элементами: сопротивлением объемной области затвора гзя, сопротивлением области обратносмещенного р-п перехода затвор-исток R3a и омическим сопротивлением периферийного объема области истока ги; параметр Си равен сумме зарядных емкостей областей р-п переходов затвор - исток и затвор - сток. [63]
 |
Структурная схема ЗУПВ типа 2107А. [64] |
В ЗЭ используется - канальный транзистор с самосовмещенным металлическим затвором; слой поликристаллического кремния образует заземляемую обкладку запоминающего конденсатора, другой обкладкой конденсатора служит диффузионная п - область истока транзистора; в качестве диэлектрика в запоминающем конденсаторе используется двойной слой нитрид кремния - двуокись кремния, позволяющий в 2 5 раза увеличить удельную емкость по сравнению с однослойным ( SiC) диэлектриком. Время выборки составляет 350 не, время цикла 500 не. [65]
В МОП-транзисторе с встроенным каналом ( рис. 4 - 31, а) между истоком и стоком создан тонкий поверхностный канал, тип электропроводности которого совпадает с типом электропроводности областей истока и стока. [66]
Первая - входная секция - включает в себя исток с р - областью под ним и входной затвор, выполняющий роль ключа для управления движением дырок из диффузионной р - области истока в первую потенциальную яму. [68]
Страницы: 1 2 3 4 5